[发明专利]绝缘膜材料、多层布线基板及其制造方法和半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种绝缘膜材料，其特征在于，至少含有具有用下述结构式（1）表示 的结构的聚碳硅烷化合物，

结构式(1)

其中，所述结构式（1）中，R¹在n个重复单元中相互相同或者不同，并 表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；R²在n个重复单元中相互 相同或者不同，并表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；n表示 5～5000的整数，

并且，所述结构式（1）表示的聚碳硅烷化合物中的硅烷醇基的含量，即 [Si-OH]/聚碳硅烷化合物的重均分子量×100，为1重量%～20重量%，

并且，该绝缘膜材料还含有硅烷化合物，并且该硅烷化合物是三乙烯基 乙氧基硅烷。

2.根据权利要求1所述的绝缘膜材料，其中，所述聚碳硅烷化合物的重 均分子量是大于400且10000以下。

3.一种多层布线基板，其特征在于，在基板上具有由多个布线层和绝缘 膜构成且所述布线层彼此间电连接的多层布线结构；采用至少含有具有用下 述结构式（1）表示的结构的聚碳硅烷化合物和硅烷化合物的绝缘膜材料形成 含硅绝缘膜；对所述含硅绝缘膜单独照射至少一种光或者进行组合照射而得 到，

结构式(1)

其中，所述结构式（1）中，R¹在n个重复单元中相互相同或者不同， 并表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；R²在n个重复单元中 相互相同或者不同，并表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种； n表示5～5000的整数，

并且，所述结构式（1）表示的聚碳硅烷化合物中的硅烷醇基的含量，即 [Si-OH]/聚碳硅烷化合物的重均分子量×100，为1重量%～20重量%，

并且，所述硅烷化合物是三乙烯基乙氧基硅烷。

4.一种多层布线基板，其特征在于，在基板上具有多层布线结构，所述 多层布线结构由多个布线层和在这些布线层之间配置的层间绝缘膜构成，并 且所述布线层彼此间通过贯通所述层间绝缘膜的贯通孔电连接，

所述层间绝缘膜采用至少含有具有用下述结构式（1）表示的结构的聚碳 硅烷化合物的绝缘膜材料来形成，

结构式(1)

其中，所述结构式（1）中，R¹在n个重复单元中相互相同或者不同， 并表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；R²在n个重复单元中 相互相同或者不同，并表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种； n表示5～5000的整数，

并且，所述结构式（1）表示的聚碳硅烷化合物中的硅烷醇基的含量，即 [Si-OH]/聚碳硅烷化合物的重均分子量×100，为1重量%～20重量%，

并且，该绝缘膜材料还含有硅烷化合物，并且该硅烷化合物是三乙烯基 乙氧基硅烷。

5.一种多层布线基板，其是在基板上具有多层布线结构的多层布线基板， 所述多层布线结构由多个布线层和在这些布线层之间配置的层间绝缘膜构 成，并且所述布线层彼此间通过贯通所述层间绝缘膜的贯通孔电连接，其特 征在于，

所述层间绝缘膜上具有采用至少含有具有用下述结构式（1）表示的结构 的聚碳硅烷化合物的绝缘膜材料来形成的蚀刻用终止膜和化学机械研磨用终 止膜中的至少任一种，

结构式(1)

其中，所述结构式（1）中，R¹在n个重复单元中相互相同或者不同， 并表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；R²在n个重复单元中 相互相同或者不同，并表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种； n表示5～5000的整数，

并且，所述结构式（1）表示的聚碳硅烷化合物中的硅烷醇基的含量，即 [Si-OH]/聚碳硅烷化合物的重均分子量×100，为1重量%～20重量%，

并且，该绝缘膜材料还含有硅烷化合物，并且该硅烷化合物是三乙烯基 乙氧基硅烷。