[发明专利]使用介电积层的激光辅助蚀刻法提供经布图处理的内嵌导电层的方法

说明书

领域

本发明的实施例总地涉及对诸如用于高I/O密度衬底等用于微电子器件 的导电层进行布图处理的领域。

背景

对诸如高I/O密度衬底的导电层进行布图处理的传统工艺一般涉及例如 通过层压提供初始介电层，随后进行基于平版印刷的半添加工艺。此类工艺一 般涉及无电籽晶层镀膜、干膜抗蚀层压、曝光、显影、电解金属镀膜和干膜抗 蚀剥离。所得到的经布图处理的导电金属层可位于积层的顶部。

不利的是，现有技术对导电层进行布图处理的方法不能很好地适用于为下 一代器件考虑的日益缩小的特征尺寸和日益增长的I/O密度。具体地，对导电 层进行布图处理的现有技术方法难以应用于大约10微米或更小的线路和空间 特征。另外，此类方法一般需要大量的处理步骤，因此需要较长的生产时间。

现有技术无法以节约成本的、便利和可靠的方法提供内嵌在介电材料中的 经布图处理的导电层。

附图简述

图1a-1c示出激光照射的三个实施例；

图2示出根据一个实施例的包含激光削弱部分的积层；

图3示出根据一个实施例的其上包含经布图处理的导电层的积层；

图4示出图3的积层和经布图处理的导电层的组合结构，该结构另外包括 位于经布图处理的导电层的凹槽内的导电材料。

为了说明的简洁和清晰，附图中的部件不一定是按比例绘制的。例如，为 了清楚，将一些部件的尺寸相对于其它部件放大。在认为合适时，各附图中的 附图标记被重复以指示相应或类似的部件。

详细说明

在下面的详细说明中描述一种提供经布图处理的导电层的方法。参照附 图，附图以示例方式示出本发明可应用于其中的一些具体实施例。要理解可存 在其它实施例并可作出其它结构变化而不脱离本发明的范围和精神。

本文中使用的术语“在……上”、“在……之上”、“在……之下”和“毗 邻”表示一个部件相对于另一部件的位置。如此，在第二部件上、在第二部件 之上或在第二部件之下的第一部件可与第二部件直接接触或包括一个或多个 居间部件。另外，设置在第二部件近旁或毗邻第二部件的第一部件可与第二部 件直接接触或包含一个或多个居间部件。另外，在下面的说明中，图和/或部 件可能以择一的方式表示。在这种情形下，例如当说明书提到图X/Y示出部件 A/B时，意思就是图X示出部件A而图Y示出部件B。另外，本文中使用的“层” 可指由一种材料制成的层、由多种成分的混合物制成的层、由各个子层构成的 层，而每个子层也具有与前述的层相同的定义。

在本文中结合图1a-3描述本实施例和其它实施例的各个方面。然而，这 些附图不应当认为构成限制，由于其旨在便于理解和说明。

首先参见图1a-1c，所示实施例包括根据预定图案激光照射选择的积层部 分。积层可包括任何一种公知的介电材料，例如基于环氧树脂的介电材料(例 如玻璃纤维补强的环氧树脂)、玻璃纤维补强聚酰亚胺或双马来酰亚胺-三嗪 (BT)，仅列举一二。根据这些实施例的对积层激光照射的预定图案对应于拟在 积层中设置的经布图处理的导电层的预定图案。在本说明书中，“经布图处理 的导电层”意指在其横截面侧视图中确定包含一种或多种导电材料的多个层组 件。因此，根据各个实施例，经布图处理的导电层可以例如一方面涵盖导电金 属化层(包括迹线、焊点和基准但不包括通路)，另一方面涵盖内嵌在积层中的 一层导电通路。根据这些实施例的经布图处理的导电层可根据场合需要而包括 单种导电材料或多种导电材料。