[发明专利]使用介电积层的激光辅助蚀刻法提供经布图处理的内嵌导电层的方法

权利要求书

1.一种提供经布图处理的导电层的方法，包括：

提供包含绝缘材料的积层；

使用光子能高于所述绝缘材料中至少一部分化学键的键能的激光束，对所 述积层的一选定部分进行激光照射，以形成比所述积层的未被激光照射部分更 快速度侵蚀的激光削弱部分；

以比未被激光照射部分更快速度侵蚀所述激光削弱部分，形成一凹槽；

用导电材料填充所述凹槽，形成至少一部分经布图处理的导电层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光照射包括使用光子 能在2.00eV至7.00eV之间的激光源。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光照射包括使用平均 激光流量小于或等于0.5J/cm²的激光源。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光照射包括使用波长 在150nm和550nm之间的激光源。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光照射包括使用波长 分别为532nm和355nm的二次和三次谐波Nd:YAG或钒酸盐激光设备。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光照射包括使用波长 分别为527nm和351nm的二次和三次谐波Nd:YLF激光设备。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光照射包括使用具有 308nm波长的XeCl准分子激光设备或具有354nm波长的XeF准分子激光设备。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，选择所述绝缘材料和所述激 光束以便获得所述激光束被所述绝缘材料吸收的预定深度。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述经布图处理的导电层的 深度为5-15微米。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光照射包括：

在所述积层上提供接触掩模；以及

透过所述接触掩模对所述积层进行激光照射以对所述积层的选定部分进 行激光照射。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光照射包括：

在所述积层上提供投影掩模；以及

透过所述投影掩模对所述积层进行激光照射以对所述积层的选定部分进 行激光照射。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光照射包括：使用直 接激光成像法对所述积层的选定部分进行激光照射。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侵蚀包括使用高锰酸盐 试剂。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充包括：在所述积层 上和在所述凹槽中提供无电镀膜形成的导电籽晶层；在所述无电镀膜形成的导 电籽晶层上提供电解电镀形成的导电层；并对所述电解电镀形成的导电层进行 机械抛光。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述积层包括基于环氧树脂 的介电材料、玻璃纤维补强聚酰亚胺或双马来酰亚胺-三嗪(BT)之一。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述积层包括玻璃纤维补 强环氧树脂。

17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电材料包括铜。

18.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述经布图处理的导电层包 括导电通路层。