[发明专利]具有位于存储元件之间的可单独控制的屏蔽板的非易失性存储装置

权利要求书

1.一种操作非易失性存储装置的方法，包括：

将编程电压施加到多个字线中的所选字线，所述多个字线与相关联的多 个非易失性存储元件通信；以及

在施加所述编程电压期间，将电压耦接到多个屏蔽板中的每个屏蔽板， 每个屏蔽板是导电的并可独立控制，并在与相邻字线相关联的不同的相邻非 易失性存储元件之间延伸，其中所述电压被独立地耦接到每个屏蔽板。

2.如权利要求1所述的方法，其中：

将电压耦接到多个屏蔽板中的每个屏蔽板包括：将交替的较高电压和较 低电压施加到所述所选字线的源极侧上的屏蔽板中交替的屏蔽板上，以及将 交替的较高电压和较低电压施加到所述所选字线的漏极侧上的屏蔽板中交 替的屏蔽板上。

3.如权利要求2所述的方法，其中：

在源极和漏极侧上与所述所选字线相邻的屏蔽板接收所述较高电压。

4.如权利要求1所述的方法，其中：

将电压耦接到多个屏蔽板中的每个屏蔽板包括：将交替的第一电压和第 二电压施加到所述所选字线的漏极侧上的屏蔽板中交替的屏蔽板上，以及将 交替的第一电压和第二电压施加到所述所选字线的源极侧上的屏蔽板中交 替的屏蔽板上，所述第一电压高于第二电压。

5.如权利要求4所述的方法，其中：

将电压耦接到多个屏蔽板中的每个屏蔽板包括：将第一电压施加到在所 述所选字线的漏极侧上与所述所选字线相邻的第一屏蔽板，以及施加到在所 述所选字线的源极侧上与所述所选字线相邻的第二屏蔽板。

6.如权利要求5所述的方法，其中：

将电压耦接到多个屏蔽板中的每个屏蔽板包括：将第三电压施加到位于 所述第二屏蔽板的源极侧上的第三屏蔽板，所述第三电压低于所述第二电 压。

7.如权利要求6所述的方法，其中：

将电压耦接到多个屏蔽板中的每个屏蔽板包括：将第四电压施加到位于 所述第一屏蔽板的漏极侧上的第四屏蔽板，所述第四电压低于所述第二电 压。

8.如权利要求6所述的方法，其中：

将电压耦接到多个屏蔽板中的每个屏蔽板包括：将第四电压施加到位于 所述第一屏蔽板的漏极侧上的第四屏蔽板，所述第四电压与所述第三电压相 同。

9.如权利要求1所述的方法，其中：

所述多个非易失性存储元件被布置在NAND串中，所述多个屏蔽板向 着所述NAND串横向延伸。

10.如权利要求1所述的方法，其中：

所述多个非易失性存储元件在一个块中，以及所述多个屏蔽板与该块相 关联。

11.一种非易失性存储设备，包括：

衬底，其上形成多个非易失性存储元件；

多个字线，与所述多个非易失性存储元件通信；以及

多个屏蔽板，每个屏蔽板在与相邻字线相关联的不同的相邻非易失性存 储元件之间延伸，每个屏蔽板是导电的并可独立控制，其中在对多个字线中 的所选字线施加编程电压期间，将电压独立地耦接到每个屏蔽板。

12.如权利要求11所述的非易失性存储设备，还包括：

至少一个控制电路，用于将电压独立地耦接到每个屏蔽板。

13.如权利要求11所述的非易失性存储设备，其中：

所述不同的相邻非易失性存储元件的每个包括浮置栅极；

每个屏蔽板包括导电材料；以及

对于每个屏蔽板，导电材料至少部分地在所述不同的相邻非易失性存储 元件的浮置栅极之间延伸。

14.如权利要求11所述的非易失性存储设备，其中：

所述多个非易失性存储元件被布置在NAND串中，所述多个屏蔽板向 着所述NAND串横向延伸。