[发明专利]在晶片解除卡紧期间减少晶片上颗粒数量的设备和方法

权利要求书

1.一种在晶片等离子处理之后捕获颗粒离开工艺室中晶片传输区域的设备，该设备包括：

第一电极，安装在该工艺室内该传输区域的一侧上；

第二电极，安装在该室内在该传输区域的相对侧上，与该第一电极隔开；和

与该第一电极连接以在这些电极之间以及跨越该传输区域建立电场的电源，该电场在这些电极的特定一个上捕获某些特定的颗粒从而促使该室中的颗粒离开该传输区域。

2.根据权利要求1所述的设备，其中：

该电源配置为通过施加正DC电势到该第一电极而该第二电极接地建立该电场。

3.根据权利要求2所述的设备，其中：

带负电的颗粒倾向于在该等离子处理该晶片之后处于该室中；和

所配置的电源使得该电场在该带负电的颗粒上施加静电力，该力促使该带负电的颗粒靠着该第一电极并远离该传输区域。

4.根据权利要求2所述的设备，其中：

该第二电极配置为在该室中静电安装该晶片用以处理；

该第二电极倾向于将带正电的颗粒释放进该室的该传输区域；和

所配置的电源使得该电场在该带正电的颗粒上施加静电力，该力促使该带正电的颗粒朝向该第二电极并远离该传输区域。

5.根据权利要求1所述的设备，其中：

该室中的颗粒包括在这些电极之间的传输区域中的带负电的颗粒和从该第二电极释放的带正电的颗粒；和

该电源配置为建立该电场，通过施加正DC电势到该第一电极以及该第二电极接地而建立该电场，该电场施加静电力，其将带负电的颗粒保持靠着该第一电极并远离该传输区域，该力促使带正电的颗粒朝向该第二电极并远离该传输区域。

6.根据权利要求3所述的设备，其中该正DC电势在从约30伏特到约100伏特的范围。

7.根据权利要求4所述的设备，其中该正DC电势在约30伏特到约100伏特的范围。

8.根据权利要求1所述的设备，其中：

该第二电极配置成静电卡盘以在该室中安装该晶片用以处理；

该第二电极倾向于将带正电的颗粒释放进该室的该传输区域；

该静电卡盘配置为对着该晶片提供气体以将该晶片从该静电卡盘释放，从而便于将该晶片移进该传输区域；和

该电源配置为通过施加正DC电势到该第一电极以及该静电卡盘接地来建立该电场，所配置的电源使得该电场施加静电力，其将带正电的颗粒捕获在该静电卡盘处而远离该传输区域中的晶片。

9.根据权利要求8所述的设备，该设备进一步包括：

晶片传输单元，配置为在该传输区域移动并与这些电极隔开用以移动所释放的晶片离开该室，该移动在该传输区域内以及所释放的晶片保持为远离被捕获在该静电卡盘处的颗粒。

10.根据权利要求9所述的设备，其中：

带负电的颗粒倾向于等离子处理晶片之后在该室中；和

所配置的电源使得该电场在这些电极之间施加静电力以促使带负电的颗粒靠着该第一电极并远离由该晶片传输单元移动的晶片。

11.减少晶片等离子处理后工艺室中的传输区域中颗粒数量的设备，该设备配置为运行在两个状态，第一状态是处理该晶片的状态，第二状态是用以将该处理后的晶片从该室移出的晶片传输状态，该设备包括：

第一多状态电极，安装在该工艺室内；

第二多状态电极，安装在该室内并与该第一电极隔开，该第二电极配置为在晶片处理后使该晶片解除卡紧进入传输区域；和

电极偏置控制器，配置为偏置这些电极用以运行在每个状态，对于该晶片传输状态该控制器配置为在同一时刻(i)将该第二电极接地，(ii)施加正DC电势至该第一电极，和(iii)使得该第二电极解除卡紧该晶片以便于将该晶片置于该传输区域中。

12.根据权利要求11所述的设备，其中，对于该第二状态，该控制器配置为控制该正DC电势的值从而促使该室中的带电颗粒远离该晶片以使该传输区域为该晶片离开该室设定条件。