[发明专利]具有位线封锁控制的非易失存储器和用于改进的感测的方法

权利要求书

1.一种非易失存储器，包括：

可由位线和字线访问的存储器单元的阵列；

感测电路的组，用于并行感测在存储器单元的相应组中的传导电流，其 中可由相关联的各位线和公共字线访问该组的各个存储器单元；

字线电压电源，用于将公共字线预充电到将要相对于其执行感测的所选 的划界阈值电压电平，该划界阈值电压电平是多个阈值电压电平的集合中的 一个；

位线电压电源，用于将相关联的位线实质上预充电到预定电压电平；

控制信号集合，用于控制该感测电路的组以相对于所选的划界阈值电压 并行感测该存储器单元的组；和

用于每个感测电路的位线接地电路，用于在感测期间响应于所述每个感 测电路的感测结果和用于启用位线封锁的控制信号两者，而将相关联的位线 接地，

其中：

感测结果是何时正在感测的存储器单元具有高于基准感测电流的传导电 流；以及

当满足位线封锁的启用条件时施用所述控制信号。

2.如权利要求1所述的非易失存储器，其中：

所述位线封锁的启用条件包括当所述存储器单元的组的聚集电流到达预 定电流水平时。

3.如权利要求1所述的非易失存储器，其中：

所述位线封锁的启用条件包括当所识别的存储器单元的数目到达预定数 目时。

4.如权利要求1所述的非易失存储器，其中：

所述位线电压电源在感测期间提供预定的最小位线电压。

5.如权利要求1所述的非易失存储器，其中：

所述位线封锁的启用条件包括当所选的划界阈值电压电平与所述多个阈 值电压电平的集合的子集之中的预定电平相符时。

6.如权利要求5所述的非易失存储器，其中：

所述子集是通过在所述多个阈值电压电平的集合之中选择实质上等间隔 分开的划界阈值电压电平而形成的。

7.如权利要求6所述的非易失存储器，其中：

所述存储器单元的组存储以伪随机模式编码的数据。

8.如权利要求5所述的非易失存储器，其中：

所述子集是在多个阈值电压电平的有序集合之中每n个划界阈值电平进 行选择，且n是大于1的整数。

9.如权利要求1所述的非易失存储器，其中：

所述划界阈值电压的集合包括至少三个电压电平。

10.如权利要求1所述的非易失存储器，其中：

所述划界阈值电压的集合包括至少七个电压电平。

11.如权利要求1所述的非易失存储器，其中：

所述划界阈值电压的集合包括至少十五个电压电平。

12.如权利要求1所述的非易失存储器，其中，所述感测电路的组在读 取操作中被操作，以读取编程到所述存储器单元的组中的存储器状态。

13.如权利要求1所述的非易失存储器，其中，所述感测电路的组在编 程操作的一部分中被操作，以验证是否已经关于所选的划界阈值电压编程了 任意存储器单元。

14.如权利要求1所述的非易失存储器，其中，存储器单元的组是闪速 EEPROM的一部分。

15.如权利要求14所述的非易失存储器，其中，闪速EEPROM是NAND 类型的。

16.如权利要求1所述的非易失存储器，其中，该组的存储器单元每个 具有至少一个电荷存储元件。

17.如权利要求16所述的非易失存储器，其中，电荷存储元件是浮置栅 极。

18.如权利要求16所述的非易失存储器，其中，电荷存储元件是电介质 层。

19.如权利要求1所述的非易失存储器，其中，该组的存储器单元存储 至少两位数据。