[发明专利]显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 200880004975.4 | 申请日: | 2008-02-04 |
| 公开(公告)号: | CN101611345A | 公开(公告)日: | 2009-12-23 |
| 发明(设计)人: | 中畑匠;井上和式;小田耕治;中川直纪;石贺展昭 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1345;G02F1/1343;H01L29/786 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 金春实 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于包括:
在衬底上形成的金属导电层;
在同一衬底上形成的、与上述金属导电层接合的透明电极膜;以 及
把上述金属导电层与上述透明导电膜隔离的层间绝缘膜,
上述金属导电层具有:由铝或铝合金构成的下层铝层;由含有杂 质的铝或铝合金构成的、在上述下层铝层的上表面的大致整个表面上 形成的中间杂质含有层;以及由铝或铝合金构成的、在上述中间杂质 含有层之上形成的上层铝层,
在上述层间绝缘膜和上述上层铝层中以局部地露出上述中间杂 质含有层的方式贯通设置接触孔,
上述透明电极膜通过从上述接触孔露出的上述中间杂质含有层 与上述金属导电层接合。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
上述金属导电层还具有:由含有杂质的铝或铝合金构成的、在上 述上层铝层的表层上局部地形成且以与上述中间杂质含有层连接的方 式形成的局部的杂质含有层,
上述透明电极膜通过上述局部的杂质含有层与上述中间杂质含 有层接合。
3.一种显示装置,其特征在于包括:
在衬底上形成的金属导电层;
在同一衬底上形成的、与上述金属导电层接合的透明电极膜;以 及
把上述金属导电层与上述透明导电膜隔离的层间绝缘膜,
上述金属导电层具有:由含有杂质的铝或铝合金构成的下层杂质 含有层;以及由铝或铝合金构成的、在上述下层杂质含有层之上形成 的上层铝层,
在上述层间绝缘膜和上述上层铝层中以局部地露出上述下层杂 质含有层的方式贯通设置接触孔,
上述透明电极膜通过从上述接触孔露出的上述下层杂质含有层 与上述金属导电层接合。
4.如权利要求3所述的显示装置,其特征在于:
上述金属导电层还具有:由含有杂质的铝或铝合金构成的、在上 述上层铝层的表层上局部地形成且以与上述下层杂质含有层连接的方 式形成的局部的杂质含有层,
上述透明电极膜通过上述局部的杂质含有层与上述下层杂质含 有层接合。
5.如权利要求4所述的显示装置,其特征在于:
上述接触孔的上述层间绝缘膜处的开口部形成为,比上述接触孔 的上述上层铝层处的开口部大且包含上述上层铝层处的上述开口部的 开口面的全部。
6.如权利要求3~5中任一项所述的显示装置,其特征在于:
上述金属导电层还具有:由含有杂质的铝或铝合金构成的、在上 述上层铝层中的上述接触孔内的露出部分上覆盖形成的局部的杂质含 有层,
上述透明电极膜通过从上述接触孔露出的上述下层杂质含有层 和上述局部的杂质含有层与上述金属导电层接合。
7.如权利要求1~5中任一项所述的显示装置,其特征在于:
上述杂质是N、O、Si和C中的至少一种。
8.一种显示装置的制造方法,其特征在于包括:
通过在衬底上层叠形成由铝或铝合金构成的下层铝层、在上述下 层铝层的上表面的大致整个表面上层叠形成由含有杂质的铝或铝合金 构成的中间杂质含有层、在上述中间杂质含有层的上表面的大致整个 表面上层叠形成由铝或铝合金构成的上层铝层而形成层叠物,由上述 层叠物形成具有布线部分和反射电极部分的金属导电层的工序;
在上述金属导电层上形成层间绝缘膜,以贯通上述层间绝缘膜和 上述上层铝层且局部地露出上述中间杂质含有层的方式形成接触孔的 工序;以及
以与上述中间杂质含有层中的从上述接触孔露出的露出部分接 合的方式,在上述层间绝缘膜上形成透明电极膜的工序。
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