[发明专利]环境光传感器的散射光补偿无效
| 申请号: | 200880002940.7 | 申请日: | 2008-04-21 |
| 公开(公告)号: | CN101589477A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
| 发明(设计)人: | B·J·哈德文;C·J·布朗;M·P·库尔森;P·希彼德 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 环境 传感器 散射 补偿 | ||
技术领域
本发明涉及光传感器装置中的散射光补偿。本发明特别地但非专 门地涉及集成到有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中的光电传感器装置。 例如,本发明发现在AMLCD显示基板上集成环境光传感器(ALS) 的特定应用。
背景技术
附图的图2示出了典型的AMLCD的简化横截面。背光源是用于 照亮显示器的光源。通过使用由薄膜晶体管(TFT)制成的电路来控制 从背光源101通过显示器到观看者102的光的传送。TFT被装配在玻 璃基板(称之为TFT玻璃103)上,并且被操作以改变通过液晶(LC) 104层的电场。这将进而改变LC材料的光学属性,并由此实现从背光 源101通过显示器到观看者102的光的选择性传送。
在很多利用显示器的产品(例如,移动电话、个人数字助理(PDA)) 中,发现根据环境照明条件来控制背光源的光输出是有用的。例如, 在低环境光照的条件下,希望降低显示器背光源的亮度,从而也降低 显示器的亮度。这不仅保持了显示器输出图像的最优质量,还使得背 光源所消耗的功率最低。
为了根据环境光照条件来改变背光源的强度,有必要具有用于感 应环境光等级的某种装置。用于该目的的环境光传感器可以与TFT玻 璃基板分开。然而,将ALS集成到TFT玻璃基板上(“单块集成”)常 常是有一些好处的,例如,在减少包含该显示器的产品的尺寸、重量 以及制造成本方面。
在附图的图1中示出了典型的实用环境光传感器系统,其包含以 下元件:
(a)能够将入射光转换为电流的(多个)光电检测元件。该光电 检测元件的实例是光电二极管2。
(b)用于控制(多个)光电检测元件并检测光生电流的偏压电路 3。
(c)用于提供表示测量的环境光等级的输出信号(模拟或数字) 的输出电路4。
(d)基于测量的环境光等级,通过例如控制背光源6的强度来调 节显示操作的装置5。
附图的图3示出了光电二极管,其为具有阳极8和阴极9的两端 器件。
对于具有单块集成的环境光传感器的AMLCD,所使用的基本光电 检测器件必须与在制造显示基板时使用的TFT处理相兼容。与标准 TFT处理兼容的已知的光电检测器件是横向薄膜多晶硅P-I-N二极管, 如附图的图4所示。该器件由半导体材料(该情况下为多晶硅)的p 型区和半导体材料的n型区组成,该p型区形成器件的阳极8,并且该 n型区形成器件的阴极9。n型区与p型区之间是本质为半导体材料(硅) 或稍掺杂半导体材料(硅)的区域7。这样,形成了器件的光敏部分, 其能够将入射光转换为电流。
为了操作该光电二极管,必须在两个光电二极管终端之间,即阳 极8和阴极9之间施加电位差。附图的图5中示出了光电二极管的典 型的电流-电压(IV)特性,包括器件在黑暗中的情况12,并且包括器 件被某光等级A照亮的情况13。在这里,施加的光电二极管偏压是阳 极与阴极之间的电位差。
以y轴为表示光电流绝对值的对数刻度来重新画出IV特性往往是 方便的。
附图的图6中示出了光电二极管IV特性,包括器件在黑暗中的情 况12、器件被某光等级A照亮的情况13、以及器件被光等级B照亮 的情况14,其中光等级B超过光等级A
从图6可以看出,对于任何给定的操作偏压,照射器件将改变流 经该器件的电流。对于给定偏置电压下的器件的操作,在器件处于黑 暗中的情况下生成的电流可称为器件的“漏电流”(或“暗电流”)。在 器件被照射的情况下生成的电流可称为“亮电流”。该“亮电流”由漏 电流和响应于入射光而产生的那部分电流(此后者的部分称为“光电 流”)的和构成。
通常将光电二极管电流为0时的偏压称为光电二极管开路电压, 并且对于光等级A表示为VOC(A)38,对于光等级B表示为VOC(B) 39。开路电压是光等级和温度的函数,其随着光等级的增加而增加, 并且随着温度的增加而降低。在入射光等级为0的特殊情况下,开路 电压被称为内建电压Vbi 37。在薄膜光电二极管的很多实施方式中, 内建电压等于或几乎等于0伏。由于二极管电流的光生分量的符号总 为负,因此总是VOC>Vbi。
以多晶硅TFT处理制造的光电二极管通常具有较低的灵敏度,这 有两个主要原因:
1.光电流通常很小,其一般为薄膜半导体材料的厚度所限制。
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