[发明专利]透明导电膜用材料

说明书

技术领域

本发明涉及一种透明导电膜用材料。具体而言，涉及一种用于成膜透明导电膜的透明导电膜用材料。

背景技术

透明导电膜被应用于液晶显示器、有机EL显示器、等离子体显示器等显示器的电极、太阳能电池的电极、窗玻璃的红外线反射膜、防静电膜等。作为透明导电膜，已知有ZnO-SnO₂系膜，日本特开平9-35535号公报公开了Sn/Zn为0.6～0.75、并含有Al、Ga、In等第3族元素作为添加物(掺杂元素)的膜。

近年来，为了提高显示器的性能，要求光学特性(可见光透射率)及电性能(电阻率)良好的透明导电膜、以及用于其成膜的透明导电膜用材料。

发明内容

本发明人等为解决上述问题而进行了深入研究，并完成了本发明。

即，本发明提供下面的<1>～<6>。

<1>一种透明导电膜用材料，其包含复合金属氧化物，该复合金属氧化物中含有选自Zn、Sn、O、及作为掺杂元素的元素周期表第5族～第10族元素中的至少1种元素。

<2>根据<1>所述的材料，其中，所述掺杂元素为选自Ta、Nb及V中的至少1种元素。

<3>根据<1>或<2>所述的材料，其中，Sn与掺杂元素的摩尔比为99.99∶0.01～80∶20。

<4>根据<1>～<3>中任一项所述的材料，其形态为烧结体。

<5>一种制造透明导电膜的方法，该方法包含使用<4>所述的材料作为靶的成膜工序。

<6>一种包含<1>～<3>中任一项所述的材料的透明导电膜。

具体实施方式

透明导电膜用材料

本发明的透明导电膜用材料包含复合金属氧化物。

复合金属氧化物中含有Zn、Sn及O，通常，其主要成分为含有Zn、Sn及O的ZnO-SnO₂系氧化物。

复合金属氧化物还含有掺杂元素。掺杂元素是基于IUPAC无机化学命名法修订版(1989)的元素周期表中第5族～第10族的元素，包括V、Nb、Ta等第5族元素，Cr、Mo、W等第6族元素，Mn、Tc、Re等第7族元素，Fe、Ru、Os等第8族元素，Co、Rh、Ir等第9族元素，Ni、Pd、Pt等第10族元素，优选第5族元素。上述元素可单独或组合使用。

Sn与掺杂元素的摩尔比优选为99.99∶0.01～80∶20，更优选为99.95∶0.05～99∶1。当透明导电膜中掺杂元素的量在上述范围内时，透明导电膜的电阻率会变得更低。当复合金属氧化物中含有2种以上掺杂元素时，掺杂元素量为它们的总量。

另外，Zn与(Sn+掺杂元素)的摩尔比通常为1∶1～2∶1。

透明导电膜用材料可通过下述方法制备，例如：

(a-1)以规定比例称量含锌化合物、含锡化合物、含掺杂元素化合物及任意添加剂并混合，然后对得到的混合物进行烧成的方法；

(a-2)以规定比例称量含锌化合物、含锡化合物、溶剂、含掺杂元素化合物及任意添加剂并混合、干燥，然后对得到的混合物进行烧成的方法。

形态为烧结体的透明导电膜用材料可通过下述方法制备，例如：

(b-1)以规定比例称量含锌化合物、含锡化合物、含掺杂元素化合物、任意添加剂并混合，然后对得到的混合物进行成型、烧结、并根据需要进行尺寸调节的方法；

(b-2)以规定比例称量含锌化合物、含锡化合物、含掺杂元素化合物、溶剂、任意添加剂并混合、干燥，然后对得到的混合物进行成型、烧结的方法；

(b-3)以规定比例称量含锌化合物、含锡化合物、含掺杂元素化合物并混合、烧成，然后对得到的烧成物及任意添加剂进行粉碎、成型、烧结的方法；

(b-4)以规定比例称量含锌化合物、含锡化合物、含掺杂元素化合物、溶剂并混合、干燥、烧成，然后对得到的烧成物及任意添加剂进行粉碎、成型、烧结的方法。

在上述方法中，还可以根据需要对烧成品、成型体、烧结体进行尺寸调节。尺寸调节可通过例如切割、磨削来进行，考虑到加工容易性等方面，优选在获得烧结体后对成型体进行尺寸调节。

以下，针对原料及各工序进行说明。