[实用新型]功率开关驱动电路

说明书

技术领域：

本实用新型是一种功率开关驱动电路，尤其是一种具有较强抗干扰性的改良型功率开关驱动电路。

背景技术：

请参照图1，所示为现有功率开关驱动电路图示，由图1可知，现有功率开关驱动电路包括P-FET晶体管Q1，一个齐纳二极体Za连接于P-FET电晶体Q1的闸极与源极之间。为了驱动连接于Vin的P-FET晶体管Q1，产生如图2之波形一所示之控制信号，经电容C1将基准电平移至Vin以便驱动，并且通过一齐纳二极体Za将其准位限制如图2之波形二所示，基准电平限制在Vin+0.7V，其Off信号之电压只比Vin高0.7V，若有一噪声使其下降至比Vin低1.5V如图2之波形三所示，即会导致误动作而损毁。

请参照图2，所示为另一现有功率开关驱动电路图示，由图3可知，因为切换噪声过大，常常在P-FET晶体管Q1闸极加一电阻R2及二极管D1，但因此使噪声更容易发生。

为克服上述现有技术的缺点，发明人提供本实用新型发明。将提供一种抗干扰性强的改良型功率开关驱动电路。

发明内容：

本实用新型的发明目的在于：针对前述现状，提供一种改良型功率开关驱动电路，有效地提高功率开关驱动电路的抗干扰性。

本实用新型的目的通过以下技术解决方案来实现：

一种功率开关驱动电路，至少包括两个齐纳二极体、一个P-FET电晶体、电容与电阻，所述两个齐纳二极体反极性串接于P-FET电晶体的闸极与源极之间；一电阻与两个齐纳二极体并联；一电容与P-FET电晶体的闸极相连。

本实用新型的目的还可以通过以下技术解决方案来进一步实现：

前述的功率开关驱动电路，所述P-FET电晶体的闸极处增加一电阻及二极体。

本实用新型所述功率开关驱动电路，通过反极性串接的两齐纳二极体，将其基准电平提高，使其Off时电压可远高于Vin以避免误动作。

下文将举若干实施例，并结合附图作进一步详细说明。

附图说明

图1是现有功率开关驱动电路图示；

图2是波形图；

图3是另一现有功率开关驱动电路图示；

图4是本实用新型第一种实施例的功率开关驱动电路图示；

图5是本实用新型第二种实施例的功率开关驱动电路图示。

具体实施方式：

第一实施例：

请参照图4，为本实用新型第一种实施例的功率开关驱动电路图示。如图4所示，本实用新型之功率开关驱动电路包括：两个齐纳二极体Za、Zb反极性串接于P-FET电晶体Q1的闸极与源极之间，P-FET晶体管Q1源极连接于Vin，控制信号经电容C1将基准电平移至Vin，并且通过反极性串接的两齐纳二极体Za、Zb，将其基准电平限制在Vin+0.7V+VZb，使其Off时电压可远高于Vin避免误动作，最佳值为Vin+3～5V，不易产生误动作而损毁。

第二实施例：

请参照图5，为本实用新型第一种实施例的功率开关驱动电路图示。如图5所示，本实用新型之功率开关驱动电路包括：两个齐纳二极体Za、Zb反极性串接于P-FET电晶体Q1的闸极与源极之间，P-FET晶体管Q1源极连接于Vin，控制信号经电容C1将基准电平移至Vin，并且通过反极性串接的两齐纳二极体Za、Zb，将其基准电平限制在Vin+0.7V+VZb，使其Off时电压可远高于Vin避免误动作，最佳值为Vin+3～5V，不易产生误动作而损毁。P-FET电晶体Q1闸极增加一电阻R2及二极管D1时因准位已拉高，因此较不易误动作，同时，又可以避免切换噪声过大产生的干扰。

除上述实施例外，本实用新型还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本实用新型要求的保护范围。