[实用新型]近场通信射频接口集成电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及近场通信(Near Field Communication，NFC)技术领域，特别是近场通信射频接口集成电路。

背景技术

近场通信技术源于RFID(射频识别)技术，由Sony、Philips和Nokia提出，它使得两个电子设备可以直接进行短程的通讯。NFC设备有三种典型的工作模式：读写器模式、卡仿真模式和点对点模式。无论工作在何种模式，对于NFC设备的射频接口电路而言，只有两种状态：发出磁场的有源状态(读写器状态)和不发磁场的无源状态(RFID状态)。现有技术中，由于有源状态下磁场的发送和无源状态下磁场的接收都是通过共用的外接天线实现的，因此发送电路和接收电路有时会相互产生影响，无法保证射频接口电路在无源状态和有源状态下都能正确有效的工作。

发明内容

为了解决上述现有技术中存在的问题，本实用新型的目的是提供一种近场通信射频接口集成电路。它能有效的避免发送电路和接收电路的相互影响，保证近场通信射频接口电路在无源状态和有源状态下都能有效工作。

为了达到上述发明目的，本实用新型的技术方案以如下方式实现：

近场通信射频接口集成电路，其结构特点是，它包括：在有源状态发送磁场的读写器发送电路、在无源状态接收磁场的RFID电源电路、发送/接收天线和天线匹配网络。与载波同频率的时钟信号PCD_CLK和要发送的数据信号PCD_TXD连接到采用两路互补发送的读写器发送电路的输入端，读写器发送电路的输出端TXRFA和输出端TXRFB连接到采用对称结构且对称中心接地的天线匹配网络的输入端，天线匹配网络的输出端与发送/接收天线的VA端和VB端相连，发送/接收天线的VA端和VB端连接到使用多个PMOS管的RFID电源电路的输入端，RFID电源电路输出内部电源VDD_PICC。

在上述集成电路中，所述发送/接收天线由两个结构完全相同的电感LA和电感LB串联组成，电感LA和电感LB的连接点接地。

在上述集成电路中，所述读写器发送电路包括多个MOS管和电阻。时钟信号PCD_CLK分别与NMOS管M12和PMOS管M13的栅极相连并经过反相器INV1与NMOS管M15和PMOS管M16的栅极相连，NMOS管M12的漏极和PMOS管M13的漏极相连成为输出端TXRFA，NMOS管M15的漏极和PMOS管M16的漏极相连成为输出端TXRFB。数据信号PCD_TXD分别与NMOS管M11和NMOS管M14的栅极相连，NMOS管M12的源极与NMOS管M11的漏极相连，NMOS管M15的源极与NMOS管M14的漏极相连，NMOS管M11的源极和NMOS管M14的源极接地。NMOS管M11的源极和漏极之间连接电阻R1，NMOS管M14的的源极和漏极之间连接电阻R2。

在上述集成电路中，所述天线匹配网络包括多个电容和电感。读写器发送电路的输出端TXRFA依次经电感L1A、电容C3A和电容C1A连接到发送/接收天线的VA端，读写器发送电路的输出端TXRFB依次经电感L1B、电容C3B和电容C1B连接到发送/接收天线的VB端。电容C3A和电容C1A的连接点依次经电容C2A和电容C2B连接到电容C3B和电容C1B的连接点，电容C2A和电容C2B的连接点接地。

在上述集成电路中，所述天线匹配网络中电感L1A的信号输入端依次串联电容C5A和电容C5B连接到电感L1B的信号输入端，电感L1A的信号输出端依次串联电容C4A和电容C4B连接到电感L1B的信号输出端。电容C5A和电容C5B的连接点以及电容C4A和电容C4B的连接点接地。