[实用新型]近场通信射频接口集成电路

权利要求书

1、近场通信射频接口集成电路，其特征在于，它包括：在有源状态发送磁场的读写器发送电路、在无源状态接收磁场的RFID电源电路、发送/接收天线和天线匹配网络，与载波同频率的时钟信号PCD_CLK和要发送的数据信号PCD_TXD连接到采用两路互补发送的读写器发送电路的输入端，读写器发送电路的输出端TXRFA和输出端TXRFB连接到采用对称结构且对称中心接地的天线匹配网络的输入端，天线匹配网络的输出端与发送/接收天线的VA端和VB端相连，发送/接收天线的VA端和VB端连接到使用多个PMOS管的RFID电源电路的输入端，RFID电源电路输出内部电源VDD_PICC。

2、如权利要求1所述的近场通信射频接口集成电路，其特征在于，所述发送/接收天线由两个结构完全相同的电感LA和电感LB串联组成，电感LA和电感LB的连接点接地。

3、如权利要求1或2所述的近场通信射频接口集成电路，其特征在于，所述读写器发送电路包括多个MOS管和电阻，时钟信号PCD_CLK分别与NMOS管M12和PMOS管M13的栅极相连并经过反相器INV1与NMOS管M15和PMOS管M16的栅极相连，NMOS管M12的漏极和PMOS管M13的漏极相连成为输出端TXRFA，NMOS管M15的漏极和PMOS管M16的漏极相连成为输出端TXRFB，数据信号PCD_TXD分别与NMOS管M11和NMOS管M14的栅极相连，NMOS管M12的源极与NMOS管M11的漏极相连，NMOS管M15的源极与NMOS管M14的漏极相连，NMOS管M11的源极和NMOS管M14的源极接地，NMOS管M11的源极和漏极之间连接电阻R1，NMOS管M14的的源极和漏极之间连接电阻R2。

4、如权利要求1或2所述的近场通信射频接口集成电路，其特征在于，所述天线匹配网络包括多个电容和电感，读写器发送电路的输出端TXRFA依次经电感L1A、电容C3A和电容C1A连接到发送/接收天线的VA端，读写器发送电路的输出端TXRFB依次经电感L1B、电容C3B和电容C1B连接到发送/接收天线的VB端，电容C3A和电容C1A的连接点依次经电容C2A和电容C2B连接到电容C3B和电容C1B的连接点，电容C2A和电容C2B的连接点接地。

5、如权利要求4所述的近场通信射频接口集成电路，其特征在于，所述天线匹配网络中电感L1A的信号输入端依次串联电容C5A和电容C5B连接到电感L1B的信号输入端，电感L1A的信号输出端依次串联电容C4A和电容C4B连接到电感L1B的信号输出端，电容C5A和电容C5B的连接点以及电容C4A和电容C4B的连接点接地。

6、如权利要求1或2所述的近场通信射频接口集成电路，其特征在于，所述RFID电源电路包括多个PMOS管和一个钳位模块VR，发送/接收天线的VB端分别连接PMOS管M1的漏极、PMOS管M2A的漏极和PMOS管M2B的栅极，PMOS管M2A源极和PMOS管M2B的漏极相连，发送/接收天线的VA端分别连接PMOS管M3的漏极、PMOS管M4A的漏极和PMOS管M4B的栅极，PMOS管M4A源极和PMOS管M4B的漏极相连，PMOS管M2A的栅极、PMOS管M2B的源极、PMOS管M1的源极和栅极、PMOS管M4A的栅极、PMOS管M4B的源极以及PMOS管M3的源极和栅极相连输出整流电源VREC，整流电源VREC分别连接PMOS管M5的漏极、PMOS管M6A的漏极和PMOS管M6B的栅极，PMOS管M6A源极和PMOS管M6B的漏极相连，信号PICC_SLEEP与PMOS管M5的栅极相连，PMOS管M6A的栅极、PMOS管M6B的源极和PMOS管M5的源极相连并分别输出内部电源VDD_PICC和经钳位模块VR接地。