[实用新型]树形GaN基LED芯片电极

权利要求书

1、一种树形GaN基LED芯片电极，包括P型电极和N型电极，对GaN外延片进行台面刻蚀，形成P型GaN台面和N型GaN沟槽，在P型GaN表面生长一层导电薄膜，再在导电薄膜上淀积P型电极，或者直接在P型GaN表面淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，其特征是，P型电极的P型焊盘和N型电极的N型焊盘分别设置在芯片一对角线的两顶角部位，自P型焊盘的条形电极沿芯片对角线呈树形分布，自N型焊盘的条形电极沿芯片四周边缘，并有条形电极伸向芯片内部。

2、根据权利要求1所述的树形GaN基LED芯片电极，其特征是，所述P型条形电极沿芯片对角线呈树形分布，包括沿对角线的条形电极，以及与之相连、呈对称分布的且平行于芯片边缘的不少于两条条形电极。

3、根据权利要求1所述的树形GaN基LED芯片电极，其特征是，所述N型条形电极包括沿芯片边缘的边缘电极及与一侧边缘电极相连、且平行于另一侧边缘电极伸向芯片内部的条形电极。

4、根据权利要求1所述的树形GaN基LED芯片电极，其特征是，P型电极和N型电极的形状亦可互换，N型电极淀积在相应形状的沟槽内。