[实用新型]永磁式双稳态接触器脉冲励磁电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种永磁式接触器脉冲励磁电路，尤其是涉及一种可吸收漏电电压和操作过电压的永磁式双稳态接触器脉冲励磁电路，属于交直流接触器、继电器、高低压断路器类电路开关控制器件技术领域。

背景技术

永磁式双稳态接触器由于具有故障源少、噪音小、操作能耗低等显著优点，近年来受到普遍关注。其典型结构为：在磁轭构成的壳架中安装永磁体和电磁线圈，线圈中安置可在两个稳定位置间运动的衔铁，通过脉冲励磁电路对可控硅控制电容的充放电，使在电磁线圈上产生正、反电脉冲，进而分别产生与永久磁铁同向或反向的磁场时，衔铁将分别运动到两稳定位置，从而带动执行构件实现所需的电路分、合控制。

图1是现有技术的永磁式双稳态接触器脉冲励磁电路原理图，如图1所示，现有的永磁式双稳态接触器的脉冲励磁电路，主要包括整流电路、第一压敏电阻触发电路、第二压敏电阻取样电路、三极管放大电路、线圈电容串联成的充放电电路、以及可控硅正反向脉冲励磁回路；整流电路的输出接触发电路，触发电路跨接在正向励磁可控硅DG1的正极和触发极之间；正向励磁可控硅DG1的输出通过充放电电路的线圈L和电容C4、C5构成正向励磁回路；第二压敏电阻YR2的标定电压要小于第一压敏电阻YR1，整流电路的输出接取样电路，取样电路的输出接放大电路三极管Q1的基极，放大电路跨接在反向励磁可控硅DG2的负极和触发极之间，反向励磁可控硅DG2的输出通过充放电电路的电容C4、C5和线圈L构成反向励磁回路。

上述脉冲励磁电路借助取样电路控制的三极管Q1钳位反向励磁可控硅DG2，并利用第一压敏电阻YR1和第二压敏电阻YR2的差值，确保了在执行构件分、合操作中正、反电脉冲的可控硅不会同时导通，保证了脉冲励磁电路的可靠性及抗干扰能力；其次，通过衔铁、磁轭结构以及运动位置关系的改变，简化了结构，保证了操动机构合闸控制位置状态的稳定可靠。

虽然上述的永磁式双稳态接触器脉冲励磁电路具有诸多优点，但是在电路中存在较多的电容、线圈，容易产生线路漏电电压，即感应电压，当感应电压偏高时，容易导致接触器不分闸的现象，抗干扰能力不强；另外，在主触头分断或吸合时，感性负载或容性负载会产生瞬间反峰高电压，即操作过电压，操作过电压对内部控制部分的电子元件损坏很大，容易造成电子元件击穿。

实用新型内容

为解决上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种可以吸收漏电电压和操作过电压的永磁式双稳态接触器脉冲励磁电路，提高抗干扰能力，并保证电子元器件的安全。

为实现上述目的，本实用新型是通过以下的技术方案来实现的：

一种永磁式双稳态接触器脉冲励磁电路，包括整流电路、第一压敏电阻触发电路、第二压敏电阻取样电路、三极管放大电路、线圈电容串联成的充放电电路、以及可控硅正反向脉冲励磁回路；整流电路的输出接触发电路，触发电路跨接在正向励磁可控硅的正极和触发极之间；正向励磁可控硅的输出通过充放电电路的线圈和电容构成正向励磁回路；第二压敏电阻的标定电压要小于第一压敏电阻，整流电路的输出接取样电路，取样电路的输出接放大电路三极管的基极，放大电路跨接在反向励磁可控硅的负极和触发极之间，反向励磁可控硅的输出通过充放电电路的电容和线圈构成反向励磁回路；其特征在于在接触器控制部分的电源进线中增设吸收线路漏电电压的电阻，与电容并联。

前述的永磁式双稳态接触器脉冲励磁电路，其特征在于在接触器控制部分的电源进线中还增设有吸收操作过电压的第四压敏电阻，与上述电阻和电容并联。

前述的永磁式双稳态接触器脉冲励磁电路，其特征在于所述取样电路输入端与地之间接电阻构成的吸收电网干扰杂波电路。

前述的永磁式双稳态接触器脉冲励磁电路，其特征在于所述正向励磁可控硅的负极和触发极之间接反向偏压二极管。

前述的永磁式双稳态接触器脉冲励磁电路，其特征在于所述正向励磁可控硅与线圈旁并联用以保持放电电压的电阻。

前述的永磁式双稳态接触器脉冲励磁电路，其特征在于所述线圈两端并联第三压敏电阻。

前述的永磁式双稳态接触器脉冲励磁电路，其特征在于所述充放电电路的电容旁分别并联一只电阻。