[发明专利]耦合层及具有该耦合层的印刷电路板无效
申请号: | 200810305274.6 | 申请日: | 2008-10-29 |
公开(公告)号: | CN101730377A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 范发平 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K1/03;H05K3/46 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 耦合 具有 印刷 电路板 | ||
技术领域
本发明涉及一种耦合层及具有该耦合层的印刷电路板。
背景技术
由于电子产品不断的进步更新,功能及效率的需求不断增强,提高工作的频率以增加产品的效率是最直接的方法,就如同计算机的CPU每年工作的频率不断的倍增一样,不断变快的工作频率间接的增加产生电磁辐射的干扰问题,要改善电磁辐射干扰,可用很多方式去解决,而对印刷电路板(PCB)的布局(Layout placement)改善是其中之一种。结合图1及图2,现有技术中的印刷电路板(图未示)包括一耦合层100。该耦合层100包括依次层叠的电源层20,电介质材料层10及地层30。该印刷电路板在工作时,电源层20产生电磁辐射,现有技术为了抑制该电源层20产生的电磁辐射,会在布线时使该电源层20相对该地层30缩进一定距离。根据实践经验,当缩进距离为20H时,H为该电源层20与该地层30之间的电介质材料层10的厚度,可以抑制70%的电磁辐射;当缩进距离为100H时,可以抑制98%的电磁辐射。但是,随着电子产品微型化的趋势,印刷电路板的电源层20要缩进一特定距离必定会造成电源层20面积过小无法满足设计需求;如果增加该地层30面积以增加该电源层20相对该地层30的缩进距离,则会导致印刷电路板的面积过大。
因此,如何能够进一步抑制印刷电路板的电源层的电磁辐射成为了极待解决的技术问题
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种能够进一步抑制印刷电路板的电源层的电磁辐射的耦合层及具有该耦合层的印刷电路板。
一种用于印刷电路板的耦合层,其包括:一第一介质层,一电源层及一地层。该第一介质层包括第一表面及与该第一表面相对的第二表面。该电源层与该地层分别覆设于该第一表面及该第二表面上。在该第一表面上该电源层相对该地层缩进一个距离而形成一个裸露区。在该裸露区覆设有与该电源层绝缘的导电层。该导电层与该地层电连接。
一种印刷电路板,其包括上述的耦合层及至少一信号复合层。该至少一信号复合层覆设在该电源层上。
相对于现有技术,本发明提供的耦合层及具有该耦合层的印刷电路板,通过在该第一表面增加了与该地层电连接的导电层,使得该电源层的电磁辐射被该地层吸收的同时,还被该导电层吸收,因此可以进一步抑制电磁辐射。
附图说明
图1为现有技术中的耦合层的俯视图。
图2为图1的耦合层沿II-II线的截面图。
图3为本发明提供的耦合层的俯视图。
图4为图3中的耦合层沿IV-IV线的截面图。
图5为图4中的耦合层中V所示区域的局部放大图。
图6为本发明提供的印刷电路板的截面示意图。
具体实施方式
结合图3及图4,本发明提供一种用于印刷电路板的耦合层200,其包括:一第一介质层210,一电源层220及一地层230。该第一介质层210包括第一表面212及与该第一表面212相对的第二表面214。该电源层220与该地层230分别覆设于该第一表面212及该第二表面214。该第一介质层210厚度为H。在该第一表面212上该电源层220相对该地层230缩进一个距离而形成一个裸露区216。优选地,该距离选用20H。可以理解,该距离还可大于20H。该耦合层200还包括过孔250。在该裸露区216覆设有与该电源层220绝缘的导电层240,且该导电层240与该地层230通过该过孔250进行电连接。该导电层240的材质为金属材料或铟锡金属氧化物,该金属材料可为铜,铝,银,铂,金等。该电源层220、及该地层230的材质为金属材料,该金属材料可为铜,铝,银,铂或金等。该第一介质层210的材质可为酚醛树脂、玻璃纤维,环氧树脂或玻璃环氧树脂。在本实施方式中,该导电层240、该电源层220、及该地层230的材质为铜;该第一介质层210的材质为玻璃环氧树脂。
结合图4及图5,由于在该第一表面212增加了与该地层230电连接的该导电层240,使得该电源层220辐射出的电磁辐射被该地层230吸收的同时,还被该导电层240及该过孔250吸收,从而可以在不增加所缩进的距离的情况下进一步抑制该电源层220的电磁辐射。因此,本实施方式的耦合层200在抑制等量电磁辐射的情况下可缩减该距离,从而减小该耦合层200的体积。
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