[发明专利]一种有机薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200810246836.4 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101452995A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 邱勇;董桂芳;郑海洋 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
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| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机 薄膜晶体管 | ||
1.一种有机晶体管，包括基片、源/漏电极、栅电极，以及位于源/漏电极和栅电极之间的半导体层和绝缘层，其特征在于，所述半导体层采用下述通式所示的方酸染料
其中，R选自-NH，R′选自-CH2、-NH、S或-C(CH3)2中的一种。
2.根据权利要求1所述的有机晶体管，其特征在于，该晶体管为单晶晶体管或薄膜晶体管。
3.根据权利要求1或2所述的有机晶体管，其特征在于，所述基片材料选自玻璃、硅片、金属或者陶瓷。
4.根据权利要求1或2所述的有机晶体管，其特征在于，所述基片是柔性基片。
5.根据权利要求1或2所述的有机晶体管，其特征在于，所述方酸染料薄膜层的厚度在20-100nm范围内。
6.根据权利要求1或2所述的有机晶体管，其特征在于，其金属电极选用金、铬或镍，电极总厚度为10-200nm。
7.一种制备权利要求1所述的有机晶体管的方法，具体步骤包括：
A.合成方酸菁ISQ材料、提纯；
B.在带有电极的基片上制备绝缘层；
C.沉积ISQ薄膜材料作为器件的半导体层；
D.制备源漏金属电极；
E.采用退火工艺处理器件。
8.根据权利要求6所述的有机晶体管的制备方法，其特征在于，所述方酸染料薄膜层是采用真空蒸镀的方法制备的，蒸镀速度为
9.根据权利要求6所述的有机晶体管的制备方法，其特征在于，所述退火工艺步骤中控制温度为50℃至150℃，时间为1-6小时。
10.权利要求6所述的有机晶体管的制备方法，其特征在于，所述方酸染料薄膜层是通过溶解方酸类染料，利用旋涂、印刷、喷墨打印的溶液方法制备的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
