[发明专利]一种实现（Ta2O5)1-x(TiO2)x基陶瓷介电温度系数热补偿的方法无效
| 申请号： | 200810240894.6 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101439968A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 季凌飞;王宝军;蒋毅坚 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张 慧 |
| 地址： | 100124*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 ta sub tio 陶瓷 温度 系数 补偿 方法 | ||
技术领域
本发明属于(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷材料制备领域，具体涉及一种实现(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷介电温度系数热补偿的方法。
背景技术
一般认为介电系数大于80的电介质为高介电常数材料，而大多数高介电常数材料的介电温度系数非常大，从而使电路不稳定，导致零部件失效，限制了其应用。实现系统的热补偿，调节温度系数的文献比较多，如《Journal of the European Ceramic Society》杂志2007年27卷3987页中所阐述的两种实现材料介电温度系数热补偿的方法：一种是将正负温度系数组元按比例掺杂；另一种是通过离子替代来调节晶格结构；第一种方法不易控制所需温度系数，第二种方法中引进的离子容易破坏晶格结构。因而，上述两种实现介电温度系数热补偿方法都是通过在材料体系中引入一种新的组元调和介电温度系数，而新的组元偏离了原来的材料体系，导致其他方面的性能下降。
(Ta2O5)1-x(TiO2)x基陶瓷作为典型的高介电常数材料，是微电子领域电容器件的备选材料。但该材料在低温下呈现负温度系数，限制了其应用。如果采用上述两种方法调节其介电温度系数接近零，新引进的组元势必影响其介电常数，易造成杂质污染。
发明内容
本发明的目的在于解决现有技术中的问题，而提供一种实现 (Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷介电温度系数热补偿的方法。
本发明通过采用大功率激光器烧结陶瓷坯体，而后在氧气下退火，实现陶瓷材料的介电温度系数接近零，具体步骤如下：
1)采用二氧化碳激光器作为热源原位直接烧结(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷坯体，0.35≤X≤0.6，烧结工艺参数为：将激光功率密度在10-30s内从初值10-30W/cm2提高到烧结功率密度500-800W/cm2，并烧结10-30s后，将激光功率密度在10-60s内降到初值10-30W/cm2，烧结结束；
2)将步骤1)中烧结得到的样品于750-1100℃，0.1-0.5MPa的氧气氛中退火6-10小时。
与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
1)采用本发明方法调和(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷的介电温度系数平均值为45ppm/℃，介电系数和损耗因子均达到了高介电常数材料的要求。
2)本发明方法没有引入新的组元，避免了杂质污染。
3)本发明工艺重复性高，可控性强。
以下结合具体实施方式对本发明作进一步说明。
具体实施方式
在下述实施例中，激光烧结在常温下进行；采用HP4284ALCR精密测试仪连接低温制冷设备在-253℃-20℃下测量样品的介电性能，测试频率为1MHz，重复测试的平均结果如表1所示。
实施实例1
采用大功率激光器作为热源原位直接烧结(Ta2O5)0.65(TiO2)0.35陶瓷坯体，在10s内将激光功率密度从初值15W/cm2提高到到烧结功率密度值500W/cm2，烧结10s后再经过25s激光功率密度值达到初值，激光关光，样品烧结结束，然后在750℃氧气下退火(0.1MPa)6小时。
实施实例2
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810240894.6/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造木质复合材料的多步预热方法
- 下一篇：通过切割将镜片成形的方法和设备
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
- 纳米TiO<sub>2</sub>复合水处理材料及其制备方法
- 具有TiO<sub>2</sub>致密层的光阳极的制备方法
- 一种TiO<sub>2</sub>纳米颗粒/TiO<sub>2</sub>纳米管阵列及其应用
- 基于TiO2的擦洗颗粒，以及制备和使用这样的基于TiO2的擦洗颗粒的方法
- 一种碳包覆的TiO<sub>2</sub>材料及其制备方法
- 一种应用于晶体硅太阳电池的Si/TiO<sub>x</sub>结构
- 应用TiO<sub>2</sub>光触媒载体净水装置及TiO<sub>2</sub>光触媒载体的制备方法
- 一种片状硅石/纳米TiO2复合材料及其制备方法
- TiO<base:Sub>2
- TiO
