[发明专利]细胞电融合芯片系统无效

专利信息
申请号: 200810233272.0 申请日: 2008-12-08
公开(公告)号: CN101434903A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 阴正勤;曹毅;杨军;徐海伟;郑小林;胡宁;夏斌;杨静;许蓉 申请(专利权)人: 中国人民解放军第三军医大学
主分类号: C12M1/42 分类号: C12M1/42;C12M3/00
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 代理人: 赵荣之
地址: 400038重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 细胞 融合 芯片 系统
【权利要求书】:

1.一种细胞电融合芯片系统,系统由细胞电融合芯片(1)、PCB板(2)、融合池(3)共同组成,其特征在于:所述融合池(3)包括内腔和设置在表面的芯片安装孔(4),所述芯片安装孔(4)与内腔相通,所述细胞电融合芯片(1)设置在PCB板(2)上,且嵌入设置在芯片安装孔(4)内;

所述细胞电融合芯片由硅片(5)和玻璃片(6)键合而成,所述硅片(5)上设置有微电极组(7)和微通道(9),所述微电极组(7)上设置有多个微电极(8),所述微电极组(7)通过信号引出线与PCB板(2)对应焊盘键合。

2.根据权利要求1所述的细胞电融合芯片系统,其特征在于:所述微电极(8)呈锯齿状排列于微电极组(7)上,设置在相邻微电极组(7)上的微电极(8)交错相对,微电极组(7)之间形成连续的微通道(9)。

3.根据权利要求1或2所述的细胞电融合芯片系统,其特征在于:所述微电极(8)呈尖角锯齿状或矩形锯齿状排列在微电极组(7)上。

4.根据权利要求3所述的细胞电融合芯片系统,其特征在于:所述硅片(5)上设置有多个微电极组(7)和多条微通道(9)。

5.根据权利要求4所述的细胞电融合芯片系统,其特征在于:所述硅片(5)厚度为40~60μm,玻璃片(6)厚度为500~1000μm。

6.根据权利要求1所述的细胞电融合芯片系统,其特征在于:所述微电极(8)的信号引出线采用金丝。

7.根据权利要求1至6任一权利要求所述的细胞电融合芯片系统,其特征在于:所述微电极组连接的信号引出线各自连接独立的控制信号。

8.根据权利要求7所述的细胞电融合芯片系统,其特征在于:所述细胞电融合芯片由表及里依次由金电镀层(10)、金溅射层(11)、硅片(5)层和玻璃片(6)组成。

9.根据权利要求1所述的细胞电融合芯片系统,其特征在于:所述融合池(3)设置有进样通道(12)和出样通道(13),所述进样通道(12)的出液端与出样通道(13)的进液端均与融合池(3)的内腔相通,所述进样通道(12)和出样通道(13)采用管状结构。

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