[发明专利]基于MEMS的电池监控无效
| 申请号: | 200810215425.9 | 申请日: | 2008-08-06 |
| 公开(公告)号: | CN101364729A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
| 发明(设计)人: | C·P·科比亚努;V·-G·杜米特鲁;I·乔治斯库;M·戈洛加努;S·D·科斯蒂 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号: | H02H7/18 | 分类号: | H02H7/18;H02J7/00;G01R31/36 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王庆海;王小衡 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 mems 电池 监控 | ||
1.一种电池保护和监控系统,包含:
多个MAFET(机械激励场效应晶体管)开关,其中所述多个MAFET开关中的每一个MAFET开关能够从打开开关状态切换到关闭开关状态或反之亦然,所述多个MAFET开关连接到电池;
多个MOSFET晶体管,其与所述多个MAFET开关中的至少一个MAFET开关相关联并且电通信;以及
PPTC(聚合物正温度系数)装置,其与所述多个晶体管和所述多个MAFET开关相关联,其中所述PPTC装置、所述多个MAFET开关和所述多个晶体管彼此互相以及与所述多个MAFET开关的所述打开开关状态或者所述闭合开关状态相关联地操作,以确定、监控和防止与所述电池相关联的至少一个危险状况。
2.如权利要求1所述的系统,其中所述多个晶体管包含至少一个P-沟道MOSFET功率晶体管和至少一个欠压保护的N-沟道MOS晶体管。
3.如权利要求1所述的系统,进一步包含主电池保护电路,其包括与多个晶体管相关联的至少一个保护IC,其中所述至少一个保护IC电连接至所述PPTC装置。
4.如权利要求1所述的系统,其中所述多个MAFET开关中的每一个MAFET开关彼此相互并联地电连接。
5.如权利要求1所述的系统,进一步包含负载电阻,其与所述多个MAFET开关中的至少一个MAFET开关串联地电连接,所述负载电阻和所述多个MAFET开关之间的串列与所述电池的正端子和负端子并联地电连接。
6.如权利要求1所述的系统,其中所述PPTC装置热连接到至少一个FET,所述至少一个FET与所述电池并联地电连接并且被所述多个MAFET开关中的任意至少一个开关驱动。
7.如权利要求1所述的系统,其中所述多个MAFET开关中的至少一个MAFET开关基于P-沟道MOS晶体管或N-沟道MOS晶体管。
8.一种电池保护和监控系统,包含:
多个MAFET(机械激励场效应晶体管)开关,其中所述多个MAFET开关中的每一个MAFET开关能够从打开开关状态切换到关闭开关状态或反之亦然,所述多个MAFET开关连接到电池;
多个MOSFET晶体管,其与所述多个MAFET开关中的至少一个MAFET开关相关联并且电通信;
负载电阻,其与所述多个MAFET开关中的至少一个MAFET开关电连接;
PPTC(聚合物正温度系数)装置,其与所述多个晶体管和所述多个MAFET开关相关联,其中所述PPTC装置、所述多个MAFET开关和所述多个晶体管彼此互相以及与所述多个MAFET开关的所述打开开关状态或者所述闭合开关状态相关联地操作,以确定、监控和防止与所述电池相关的至少一个危险状况,其中所述多个MAFET开关、所述多个MOSFET晶体管和所述PPTC装置彼此相关联地操作以提供关于电池的过压保护功能和欠压保护功能。
9.一种电池保护和监控系统,包含:
多个MAFET(机械激励场效应晶体管)开关,其中所述多个MAFET开关中的每一个MAFET开关能够从打开开关状态切换到关闭开关状态或反之亦然,所述多个MAFET开关连接到电池;
多个晶体管,其与所述多个MAFET开关中的至少一个MAFET开关相关联并且电通信;以及
PPTC(聚合物正温度系数)装置,其与所述多个晶体管和所述多个MAFET开关相关联,其中所述PPTC装置、所述多个MAFET开关和所述多个晶体管彼此互相以及与所述多个MAFET开关的所述打开开关状态或者所述闭合开关状态相关联地操作,以确定、监控和防止与所述电池相关联的至少一个危险状况;以及
主电池保护电路,其包括与多个晶体管相关联的至少一个保护IC,其中所述至少一个保护IC电连接至所述PPTC装置,其中所述多个MAFET开关中的每一个MAFET开关彼此相互并联的电连接,并且与电阻串联,而其串列与所述电池的正端子和负端子并联地电连接。
10.如权利要求9所述的系统,其中所述多个MAFET开关、所述多个晶体管和所述PPTC装置互相关联地操作以提供关于电池的过压保护功能和欠压保护功能。
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