[发明专利]保护层、其制备方法及包括该保护层的等离子体显示板无效

专利信息
申请号: 200810214874.1 申请日: 2008-09-03
公开(公告)号: CN101383255A 公开(公告)日: 2009-03-11
发明(设计)人: 李玟锡;崔钟书;金奭基;姜东贤;尤里·马图莱维科;金哉赫;徐淳星;秋希伶 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01J17/02 分类号: H01J17/02;H01J17/04;H01J17/49;H01J9/02;H01J9/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 保护层 制备 方法 包括 等离子体 显示
【说明书】:

技术领域

本发明涉及保护层,其制备方法及包括该保护层的等离子体显示板(PDP)。更具体地,本发明涉及包括氧化镁层和电子发射促进材料的保护层、其制备方法及包括该保护层的PDP。

背景技术

等离子体显示板(PDP)是自发射装置,其能容易地制造为大显示器,且具有良好的显示质量和快的响应速度。具体地,因为它们如此薄,PDP作为壁挂显示器受到了大量关注,像液晶显示器(LCDs)一样。

PDP包括维持电极和设置在第一基板的下表面上的扫描电极。维持电极和扫描电极的每个包含一对透明电极和汇流电极(bus electrode)。维持电极和扫描电极被第一电介质层覆盖。第一电介质层被保护层覆盖以防止由于直接暴露电介质层到放电空间引起的放电和寿命特征的降低。

寻址电极形成在第二基板的上表面上且第二电介质层覆盖寻址电极。第一基板由预定空间与第二基板分离,阻挡肋的插置在第一基板和第二基板之间。磷光层设置在第一基板和第二基板之间界定的空间,该空间在预定压力下,例如450托,充满紫外(UV)发射Ne+Xe混合气体或者He+Ne+Xe混合气体。Xe气用以发射真空UV(VUV)(Xe离子在147nm发射共振放射(resonance radiation)且Xe用以在约173nm发射共振放射)。Ne气用以为稳定性降低放电初始电压。He气增加Xe气的流动性以提升在约173nm发射共振放射。

PDP的保护层大体执行以下三个功能。

第一,保护层具有保护电极和电介质层的功能。仅通过电极或者通过电极和电介质层能产生放电。然而,仅通过电极来控制放电电流是困难的。另外,只有电极和电介质层具有溅射刻蚀的问题。因此,电介质层必须涂敷具有对等离子体离子有抵抗力的保护层以保护电极和电介质层。

第二,保护层具有降低放电初始电压的功能。与放电初始电压直接相关的物理量是保护层关于等离子体离子的二次电子发射系数。随着从保护层发射的二次电子的量增加,放电初始电压减小。在此,优选的是采用具有高的二次电子发射系数的材料形成保护层。

第三,保护层还具有缩短放电延迟时间的功能。放电延迟时间是描述在施加电压后的预订时间发生放电的现象的物理量。放电延迟时间被表达为形成延迟时间(Tf)和统计延迟时间(Ts)之和。形成延迟时间指示施加电压和放电电流之间的时间差异,统计延迟时间指示形成延迟时间的统计分布。放电延迟时间的减小使高速寻址可能执行单次扫描,降低扫描驱动的成本。另外,减小放电延迟时间能增加子域的数量并能提高亮度和显示质量。

如在韩国专利公开No.2005-0073531中公开的,传统PDP保护层一般通过在基板上沉积单晶MgO或多晶MgO形成。然而,传统的PDP保护层在降低驱动电压和功耗方面并不令人满意。另外,使用传统的PDP保护层不能提供足够的降低放电延迟时间的效果。因此,亟待进一步的改善以实现高清晰度(HD)PDP的单次扫描。

发明内容

本发明提供一种改善的保护层,其制备方法和包括该保护层的等离子体显示板。

根据本发明的一个方面,提供一种用于气体放电显示装置的保护层,包括氧化镁层和形成在该氧化镁层上的电子发射促进材料。

根据本发明的另一个方面,提供一种用于气体放电显示器的保护层的制备方法,该方法包括在基板上形成MgO层,并在该MgO层上形成电子发射促进材料。

电子发射促进材料的形成可包括在氧化镁层上图案化电子发射促进材料。可选择地,电子发射促进材料的形成可包括喷射包含电子发射促进材料颗粒的溶剂到氧化镁层表面上,并热处理形成在氧化镁层上的喷射的电子发射促进材料颗粒。

本发明的保护层表现卓越的电子发射促进特性而基本不被等离子体离子损坏,从而改善PDP的可靠性。

附图说明

通过结合附图参照以下详细描述,本发明更全面的评价及许多伴随优点将变得更好理解进而将会容易明晰,在附图中相似的附图标记表示相同的或相似的部件,附图中:

图1是示意垂直截面图,图解等离子体显示板(PDP)的一个像素的实例,其中第一基板旋转90度角;

图2和3图解根据本发明的实施例的保护层;

图4是图解俄歇中和理论描述通过气体离子自固体表面的电子发射的图;

图5是图解使用根据本发明一实施例的保护层的PDP的图,该保护层包括氧化镁层和电子发射促进材料;

图6和7是图表,图解使用传统MgO保护层的单元和使用根据本发明一实施例的保护层的单元的放电初始电压和二次电子发射系数;以及

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