[发明专利]保护层、其制备方法及包括该保护层的等离子体显示板

权利要求书

1、一种用于气体放电显示装置的保护层，包括:

氧化镁层；以及

形成在所述氧化镁层的表面上的电子发射促进材料。

2、如权利要求1所述的保护层，其中所述氧化镁层包括掺杂有不同于氧化镁的材料的氧化镁。

3、如权利要求1所述的保护层，其中所述电子发射促进材料在所述氧化镁层上被图案化。

4、如权利要求1所述的保护层，其中所述电子发射促进材料被贴附到所述氧化镁层的表面的一部分。

5、如权利要求1所述的保护层，其中所述电子发射促进材料是喷射到所述氧化镁层的表面上的电子发射促进材料颗粒。

6、如权利要求1所述的保护层，其中所述电子发射促进材料具有从-1eV到小于1eV范围的电子亲和势。

7、如权利要求1所述的保护层，其中所述电子发射促进材料具有从0eV到3.5eV范围的功函数。

8、如权利要求1所述的保护层，其中所述电子发射促进材料具有从1°到179°范围的β因子。

9、如权利要求1所述的保护层，其中所述电子发射促进材料是光电阴极材料。

10、如权利要求1所述的保护层，其中所述电子发射促进材料是能够捕获电子的材料或者具有结构缺陷的材料。

11、如权利要求1所述的保护层，其中所述电子发射促进材料是选自由含C-H键的金刚石、B掺杂的金刚石、N掺杂的金刚石、类金刚石碳、LiF、GaAs:Cs-O、GaN:Cs-O、AlN:Cs-O、CsI、GaP(Cs)、Cs₂O以及这些材料中的两种或更多种的组合构成的组的至少一种。

12、如权利要求1所述的保护层，其中所述电子发射促进材料具有从50nm到2μm范围的平均直径。

13、一种包括权利要求1所述的保护层的等离子体显示板。

14、一种用于气体放电显示装置的保护层的制备方法，包括利用权利要求1所述的保护层。

15、一种等离子体显示板，包括:

第一基板；

设置成与所述第一基板平行的第二基板；

在所述第一基板和第二基板之间形成以界定发射单元的阻挡肋；

在一个方向延伸并被第一电介质层覆盖的显示电极；

设置在所述第一电介质层上的保护层，所述保护层包括氧化镁层以及定位在所述氧化镁层的表面的一部分上的电子发射促进材料；

寻址电极，其沿着所述发射单元延伸，设置为与维持电极交叉并被第二电介质层覆盖；

涂敷到所述阻挡肋内壁上的磷光层；以及

填充所述发射单元的放电气体。

16、一种用于气体放电显示装置的保护层的制备方法，所述方法包括:

在基板上形成氧化镁层；以及

在所述氧化镁层上形成电子发射促进材料。

17、如权利要求16所述的方法，其中所述电子发射促进材料的形成包括在所述氧化镁层上将所述电子发射促进材料图案化。

18、如权利要求17所述的方法，其中所述电子发射促进材料的图案化包括在所述氧化镁层上形成图案化的光致抗蚀剂膜、在所述光致抗蚀剂膜上施加所述电子发射促进材料以及移除所述光致抗蚀剂膜以获得图案化的电子发射促进材料。

19、如权利要求17所述的方法，其中所述电子发射促进材料的形成包括喷射包含所述电子发射促进材料的颗粒的溶剂到所述氧化镁层表面上，以及热处理形成在所述氧化镁层上的所述电子发射促进材料的喷射的颗粒。

20、如权利要求18所述的方法，其中所述溶剂是乙醇或者异丙醇，并且在从80℃到350℃的温度范围内执行所述热处理。