[发明专利]液晶显示器的滤色片及其制造方法有效
| 申请号: | 200810213917.4 | 申请日: | 2008-08-28 |
| 公开(公告)号: | CN101446700A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
| 发明(设计)人: | 林圻燮;琴昌锡 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁 挥 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶显示器 滤色片 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于修复液晶面板中的缺陷单元的方法,该方法包含:
提供液晶面板,该面板包括在其上形成黑矩阵和色素层的上阵列基板、具有薄膜晶体管并与所述上阵列基板附接的下阵列基板、以及在所述上阵列基板和下阵列基板之间形成并包括多个单元的液晶层;
进行第一激光照射,用于将激光照射到所述液晶面板中多个单元中的缺陷单元区域,以在所述黑矩阵与所述上阵列基板之间形成特定间隙;
进行第二激光照射,用于将激光照射到所述缺陷单元区域以在所述色素层和所述上阵列基板之间形成梳状结构,在该梳状结构的齿之间具有特定间隙;
进行第三激光照射,用于将激光照射到所述缺陷单元区域以处理所述黑矩阵,从而产生黑矩阵颗粒;以及
进行第四激光照射,用于将激光照射到所述缺陷单元区域以分散所述黑矩阵颗粒,从而将该黑矩阵颗粒填充在所述色素层与所述上阵列基板之间的所述梳状结构的所述齿之间的所述间隙中。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光使用Nd YAG、准分子、CO、CO2、He-Ne、HF和二极管中的至少之一。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述上阵列基板和所述色素层之间的所述梳状结构的齿之间的间隙为0.5μm到2μm。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,施加到所述缺陷单元区域的激光功率小于用于激光照射的激光功率的1/10,所述用于激光照射的激光功率范围为100μJ到700μJ。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在形成距离所述上阵列基板具有特定间隙的所述黑矩阵时,将小于用于第一激光照射的激光功率的1/10的激光功率施加到所述缺陷单元区域中,所述用于第一激光照射的激光功率范围为100μJ到470μJ;在所述色素层与所述上阵列基板之间形成其齿之间具有特定间隙的所述梳状结构时,将小于用于第二激光照射的激光功率的1/10的激光功率施加到所述缺陷单元区域,所述用于第二激光照射的激光功率范围为200μJ到620μJ;在处理以产生所述黑矩阵颗粒时,将小于用于第三激光照射的激光功率的1/10的激光功率施加到所述缺陷单元区域,所述用于第三激光 照射的激光功率范围为200μJ到600μJ;以及将小于用于第四激光照射的激光功率的1/10的激光功率施加到缺陷单元区域,从而将所述黑矩阵颗粒分散到所述色素层的所述梳状结构的齿之间的间隙中,所述用于第四激光照射的激光功率范围为180μJ到420μJ。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在激光照射中的扫描速度为10μm/s到70μm/s。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在与所述上阵列基板距离特定间隙的所述黑矩阵的形成中,所施加的所述激光扫描速度在30μm/s到70μm/s之间的范围内;所施加以在所述色素层与所述上阵列基板之间形成其齿之间具有特定间隙的所述梳状结构的所述激光扫描速度在20μm/s到50μm/s之间的范围内;施加以处理所述黑矩阵的所述激光扫描速度在从25μm/s到45μm/s的范围内;以及施加以将所述黑矩阵颗粒分散到所述色素层的所述梳状结构的齿之间的间隙中的所述激光扫描速度在从20μm/s到45μm/s的范围内。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
在分散所述黑矩阵颗粒之后,破坏所述缺陷单元的对准层,以将所述黑矩阵颗粒分散到整个缺陷单元区域。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,在破坏所述对准层时,照射波长在300nm到400nm范围内的紫外线(UV)光源。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一激光照射从所述黑矩阵上部分的边缘开始并经过所述缺陷区域而水平进行到所述黑矩阵的下边缘,所述第二激光照射从所述色素层的上部分边缘开始并水平进行到所述色素层的下边缘。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,第三激光照射首先从所述黑矩阵的下部分边缘的一部分开始并经过所述缺陷单元区域水平进行到所述黑矩阵的上部分边缘的一部分,所述第三激光照射其次从所述黑矩阵的左部分的下边缘开始并经过整个缺陷单元区域垂直进行到所述黑矩阵的右边缘,并且所述第三激光照射第三次是从所述黑矩阵的上部分的右边缘开始并经过所述缺陷单元区域而水平进行到所述黑矩阵的左边缘。
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