[发明专利]BCD集成工艺

权利要求书

1.一种BCD集成工艺，其特征在于，在局部氧化隔离步骤之后增加 沟槽光刻步骤；

对于BCD集成工艺中的DMOS器件，该沟槽光刻步骤利用局部氧化 隔离步骤中形成的氧化物和氮化物作为阻挡层，在形成的沟槽中生长栅极 氧化层，并淀积多晶硅填充沟槽，作为所述DMOS器件的栅极，在形成沟 槽后在其中填充钨，作为所述DMOS器件的漏区；

对于BCD集成工艺中的双极型器件，在该沟槽光刻步骤形成的沟槽中 填充钨形成所述双极型器件的集电区。

2.如权利要求1所述的BCD集成工艺，其特征在于，对于DMOS 器件，制造DMOS器件的工艺包括：

在衬底形成N型埋层；

生长N型外延层；

进行局部氧化隔离；

进行沟槽光刻；

在形成的沟槽中生长牺牲氧化层并腐蚀牺牲氧化层；

在形成的沟槽中生长栅极氧化层；

淀积多晶硅填充沟槽；

使用多晶硅原位掺杂或者注入的方法对多晶硅掺杂。

3.如权利要求2所述的BCD集成工艺，其特征在于，

N型埋层是通过在衬底上注入砷或者锑形成。

4.如权利要求2所述的BCD集成工艺，其特征在于，

在形成的沟槽中生长的牺牲氧化层，并使用湿法腐蚀该牺牲氧 化层。

5.如权利要求2所述的BCD集成工艺，其特征在于，

在形成的沟槽中生长栅极氧化层的厚度根据DMOS的阈值电压和击 穿电压确定。

6.如权利要求1所述的BCD集成工艺，其特征在于，对于双极型器 件，制造双极型器件的工艺包括：

在衬底上形成N型埋层；

生长N型外延层；

进行局部氧化隔离；

进行CMOS工艺的n/p阱制作、源漏区注入；

利用CMOS工艺的n/p阱作为所述垂直双极型器件的基区；

利用进行CMOS工艺的源漏区注入制作重掺杂区，重掺杂区作为垂直 双极型器件的发射区和基区。

7.如权利要求6所述的BCD集成工艺，其特征在于，

N型埋层是通过在衬底上注入砷或者锑来进行。

8.如权利要求6所述的BCD集成工艺，其特征在于，

所述CMOS工艺的n阱作为垂直PNP器件的基区；

所述CMOS工艺的p阱作为垂直NPN器件的基区。

9.如权利要求1所述的BCD集成工艺，其特征在于，还包括：

形成P型埋层，所述BCD集成工艺中制造的DMOS、CMOS和双极 型器件通过P型埋层和沟槽进行隔离。