[发明专利]光学邻近校正方法

说明书

技术领域

本发明涉及光学邻近校正技术，特别是光学邻近校正方法。

背景技术

随着集成电路的日益发展，设计尺寸越来越小，由于光的衍射和干涉现 象，晶圆上实际得到的光刻图形与掩模板图形之间存在一定的变形和偏差， 光刻中的这种误差直接影响电路性能和生产成品率。

光学邻近校正OPC(Optical Proximity Correction)是一种消除这种误差的 有效的方法。OPC可分为两种，一种是基于规则的OPC，另一种是基于模型的 OPC。为了适应设计的复杂度，使校正更为精确，基于模型的OPC越来越多的 被采用。基于模型的OPC，简单地来说，就是修正掩模图形，并建立光学邻 近校正模型，对掩模图形进行光刻模拟成像，通过迭代优化来校正目标图形 形状。其中，光学邻近校正模型中的工艺模型用于模拟掩模版制造、曝光、 显影和刻蚀等步骤。

目前，在光刻工艺中，通常采用电子束图形曝光，电子束图形曝光主要 有顺序扫描和矢量扫描两种形式。由于光学效应，尽管使用同一个掩模版进 行曝光，由于扫描形式的不一样，也会造成晶圆上实际得到的图形存在差异。 由于通过测量晶圆上所形成的图形，建立光学邻近校正模型，这就带来了问 题，例如，对于同一个位置或者关键尺寸，由于在曝光过程中采用不同的扫 描形式，实际将获得两个不同的数据，但是现有技术中的光学邻近校正模型 并不考虑此类差异，现有的光学邻近校正模型认为对于同一个位置或关键尺 寸，曝光显影后在晶圆上所形成的图像是唯一的，并不随扫描形式而改变。 也就是说，现有技术中由于没有考虑到实际成像时的差异，因此所建立的光 学邻近校正模型，无法对光刻过程作出准确的校正。

发明内容

本发明解决的问题是由于现有的光学邻近校正模型认为对于同一个位置 或关键尺寸，曝光显影后在晶圆上所形成的图像是唯一的，并不随扫描形式 而改变，而使得校正出现错误。

为解决上述问题，本发明提供了一种光学邻近校正方法，包括：测量掩 模版上的测试图形，获得所述测试图形的图形参数；根据所述掩模版进行曝 光，获得所述曝光形成的图形参数；对所述曝光形成的图形参数进行过滤处 理；根据所述曝光形成的图形参数和所述测试图形的图形参数，获得与所述 曝光采用的扫描形式对应的校正因子；根据所述校正因子，对原有光学邻近 校正模型进行更新，获得与所述曝光采用的扫描形式对应的光学邻近校正模 型。

可选的，所述根据曝光形成的图形参数和测试图形的图形参数获得与所 述曝光采用的扫描形式对应的校正因子，包括：利用测试图形的图形参数与 校正因子的乘积为曝光形成的图形参数，获得校正因子。

可选的，所述校正因子为高斯核函数。

可选的，所述根据校正因子对原有光学邻近校正模型进行更新，包括： 将校正因子核函数与原有光学邻近校正模型中的其它核函数进行卷积。

可选的，所述测试图形的图形参数包括测试图形的关键尺寸。

可选的，所述测试图形包括密布图形。

可选的，所述根据掩模版上的测试图形获得测试图形的图形参数还包括： 在掩模版上形成测试图形。

可选的，所述曝光形成的图形参数包括：显影之前，对光致抗蚀剂上形 成的图像进行测量，获得与所述测试图形的图形参数相对应的值。

可选的，所述曝光形成的图形参数包括：对曝光后的光致抗蚀剂进行显 影，测量晶圆上所形成的图像，获得与所述测试图形的图形参数相对应的值。

可选的，所述获得曝光形成的图形参数，包括：每次收集不少于1000的 曝光形成的图形参数。

可选的，所述获得曝光形成的图形参数，包括：在65nm工艺中，每次收 集不少于600的曝光形成的图形参数。

可选的，所述对曝光形成的图形参数进行过滤处理，包括：去除成像效 果较差的所述曝光形成的图形参数。

可选的，所述对曝光形成的图形参数进行过滤处理，包括：验证所收集 的曝光形成的图形参数的有效性。

可选的，所述验证所收集的曝光形成的图形参数的有效性，包括：对于 多次收集的曝光形成的图形参数，计算每两次所收集的曝光形成的图形参数 的差值之和，比较所述差值之和与设定阈值，当所述差值之和大于所述设定 阈值时，则至少有一次所收集的曝光形成的图形参数存在误差。

可选的，所述设定阈值为2nm。