[发明专利]光学邻近校正方法有效
申请号: | 200810207517.2 | 申请日: | 2008-12-22 |
公开(公告)号: | CN101750878A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 张飞 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 邻近 校正 方法 | ||
1.一种光学邻近校正方法,其特征在于,包括:
根据掩模版上的测试图形,获得测试图形的图形参数;
对所述掩模版进行曝光,获得曝光形成的图形参数;
对所述曝光形成的图形参数进行过滤处理,所述对曝光形成的图形参数进 行过滤处理,包括:去除成像效果较差的所述曝光形成的图形参数以及验 证所收集的曝光形成的图形参数的有效性;所述验证所收集的曝光形成的 图形参数的有效性,包括:对于多次收集的曝光形成的图形参数,计算每 两次所收集的曝光形成的图形参数的差值之和,比较所述差值之和与设定 阈值,当所述差值之和大于所述设定阈值时,则至少有一次所收集的曝光 形成的图形参数存在误差;
根据所述曝光形成的图形参数和所述测试图形的图形参数,获得与所述曝 光采用的扫描形式对应的校正因子,所述校正因子为高斯核函数;
根据所述校正因子,对原有光学邻近校正模型进行更新,获得与所述曝光 采用的扫描形式对应的光学邻近校正模型,所述根据校正因子对原有光学 邻近校正模型进行更新,包括:将所述高斯核函数与原有光学邻近校正模 型中的其它核函数进行卷积。
2.如权利要求1所述的光学邻近校正方法,其特征在于,所述根据曝光形成 的图形参数和测试图形的图形参数获得与所述曝光采用的扫描形式对应的 校正因子,包括:利用测试图形的图形参数与校正因子的乘积为曝光形成 的图形参数,通过将所述曝光形成的图形参数除以所述测试图形的图形参 数,获得校正因子。
3.如权利要求1所述的光学邻近校正方法,其特征在于,所述测试图形的图 形参数包括测试图形的关键尺寸。
4.如权利要求1所述的光学邻近校正方法,其特征在于,所述测试图形包括 密布图形。
5.如权利要求1所述的光学邻近校正方法,其特征在于,所述根据掩模版上 的测试图形获得测试图形的图形参数还包括:在掩模版上形成测试图形。
6.如权利要求1所述的光学邻近校正方法,其特征在于,所述曝光形成的图 形参数包括:显影之前,对光致抗蚀剂上形成的图像进行测量,获得与所 述测试图形的图形参数相对应的值。
7.如权利要求1所述的光学邻近校正方法,其特征在于,所述曝光形成的图 形参数包括:对曝光后的光致抗蚀剂进行显影,测量晶圆上所形成的图像, 获得与所述测试图形的图形参数相对应的值。
8.如权利要求1所述的光学邻近校正方法,其特征在于,所述获得曝光形成 的图形参数,包括:每次收集不少于1000个的曝光形成的图形参数。
9.如权利要求1所述的光学邻近校正方法,其特征在于,所述获得曝光形成 的图形参数,包括:在65nm工艺中,每次收集不少于600个的曝光形成 的图形参数。
10.如权利要求1所述的光学邻近校正方法,其特征在于,所述设定阈值为 2nm。
11.如权利要求1所述的光学邻近校正方法,其特征在于,还包括:验证所述 校正因子。
12.如权利要求11所述的光学邻近校正方法,其特征在于,所述验证校正因子 包括:采用所述测试图形的图形参数进行光刻时,获得模拟数据,比较所 述模拟数据和所述曝光形成的图形参数的差值,其中,与最小的差值相对 应的所述校正因子为最佳校正因子,所述测试图形的图形参数是采用与所 述曝光采用的扫描形式对应的光学邻近校正模型模拟得到的。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备