[发明专利]薄膜晶体管阵列面板和所述薄膜晶体管阵列面板的制造方法无效
申请号: | 200810189700.4 | 申请日: | 2008-12-26 |
公开(公告)号: | CN101562189A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 金彰洙;尹在亨;姜秀馨 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 面板 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列面板,包括:
基板;
栅极线,所述栅极线在所述基板上沿第一方向延伸;
数据线,所述数据线设置在所述基板上,所述数据线与所述栅极线相交并绝缘,并且在第二方向上延伸;
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括连接到所述栅极线的控制端子、连接到所述数据线的输入端子、以及输出端子;
彩色滤光片,所述彩色滤光片设置在所述薄膜晶体管上,所述彩色滤光片包括对应于所述薄膜晶体管的所述输出端子的开口;
光线阻挡件,所述光线阻挡件设置在所述彩色滤光片的所述开口中,所述光线阻挡件露出所述薄膜晶体管的所述输出端子的第一端部的第一区域,并且包括包围所述第一区域的输出端子光线阻挡部分;以及
像素电极,所述像素电极设置在所述光线阻挡件和所述彩色滤光片上,所述像素电极接触所述输出端子的所述第一区域。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板,进一步包括:
覆盖层,所述覆盖层包括布置在所述彩色滤光片和所述像素电极之间以及所述光线阻挡件和所述像素电极之间的无机绝缘材料。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板,进一步包括:
钝化层,所述钝化层包括布置在所述彩色滤光片和所述薄膜晶体管之间以及所述光线阻挡件和所述薄膜晶体管之间的无机绝缘材料。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板,其中:
所述输出端子光线阻挡部分覆盖所述输出端子的所述第一端部的边界。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板,其中:
所述第一区域的宽度或半径在5-25μm的范围内,所述输出端子的所述第一端部的宽度或半径在5-35μm的范围内,以及所述输出端子光线阻挡部分的宽度或半径在15-60μm的范围内。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板,其中:
所述光线阻挡件具有沿所述数据线延伸的信号线部分,并且所述彩色滤光片被所述信号线部分分成两个区域,所述两个区域具有彼此不同的颜色。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板,进一步包括:
在所述第一方向上延伸并包括储存电极的储存电极线,其中所述光线阻挡件包括与所述信号线部分一起包围至少一部分所述储存电极的储存电极光线阻挡部分。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板,其中:
所述光线阻挡件包括覆盖所述薄膜晶体管的薄膜晶体管部分。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板,其中:
所述输出端子光线阻挡部分覆盖所述输出端子的所述第一端部的边界。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板,其中:
所述第一区域的宽度或半径在5-25μm的范围内,所述输出端子的所述第一端部的宽度或半径在5-35μm的范围内,以及所述输出端子光线阻挡部分的宽度或半径在15-60μm的范围内。
11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板,其中:
所述数据线包括第一数据线和第二数据线;
所述薄膜晶体管包括具有连接到所述第一数据线的输入端子的第一薄膜晶体管以及具有连接到所述第二数据线的输入端子的第二薄膜晶体管;以及
所述像素电极包括连接到所述第一薄膜晶体管的输出端子的第一子像素电极以及连接到所述第二薄膜晶体管的输出端子的第二子像素电极。
12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板,其中:
所述光线阻挡件的所述输出端子光线阻挡部分包括包围所述第一薄膜晶体管的输出端子的第一输出端子光线阻挡部分以及包围所述第二薄膜晶体管的输出端子的第二输出端子光线阻挡部分。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的