[发明专利]液晶显示装置的阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示装置，具体而言涉及液晶显示装置的阵列基板 及其制造方法。

背景技术

液晶显示（LCD）装置利用液晶层中液晶分子的光学各向异性和偏 振特性来产生图像。液晶分子具有细长的形状，并且能沿特定方向排列。 可以通过改变施加到液晶层上的电场强度来控制这些液晶分子的排列方 向。因此，液晶分子的排列方向可以通过电场来改变。根据液晶分子的 排列方向可以透射并折射光以显示图像。

液晶显示装置包括具有公共电极的滤色器基板、具有像素电极的阵 列基板，以及插入在该两个基板之间的液晶层。液晶显示装置由公共电 极和像素电极之间感生的垂直电场驱动，并且具有较高的透光性和孔径 比。

阵列基板的像素电极和滤色器基板的公共电极形成液晶电容器。顺 便说一下，在提供下一个信号之前，施加到液晶电容器上的电压不会被 保持，并且会泄漏并消失。因此，为了保持所施加的电压，该液晶电容 器连接有存储电容器。

通常来说，存储电容器可通过两种方法来形成。一种方法可称为公 共电极上存储（storage-on-common）或独立存储电容器型，其中进一步 形成有存储电容器的电极，并将其连接至公共电极。另一种方法可称为 选通线上存储（storage-on-gate）或前选通线（previous gate）型，其中把 第（n-1）条选通线的一部分用作第n个像素的存储电容器的电极。

选通线上存储型的优点是：因为针对存储电容器的信号是通过选通 线施加的，所以不需要外部的存储线。但是，选通线上存储型具有因与 选通信号相耦合而存在信号干扰的缺点。

另一方面，公共电极上存储（SOC）型的优点是：不存在选通信号 方面的信号干扰，因此能够保证足够的存储电容。然而，另外形成有存 储线，这会导致孔径比变小。

下面将参照附图对现有技术中的SOC型液晶显示（LCD）装置进行 说明。

图1是例示了根据现有技术的用于SOC型LCD装置的阵列基板的 平面图。

在图1中，在基板10上以矩阵形式形成有第一和第二选通线20a、 20b，以及第一、第二及第三数据线30a、30b及30c。所述第一、第二及 第三数据线30a、30b及30c与所述第一和第二选通线20a、20b交叉，从 而限定了第一和第二像素区域P1、P2。将扫描信号施加给所述第一和第 二选通线20a、20b，并且将数据信号施加给所述第一、第二及第三数据 线30a、30b及30c。

第一和第二公共线50、51形成在所述第一和第二选通线20a、20b 之间。所述第一和第二公共线50、51中的每一个都具有H状形状。

第一公共线50包括水平部分50a，以及第一和第二垂直部分50b、 50c。在图中所示的情况下，水平部分50a沿水平方向布置在第一像素区 域P1中。在图中所示的情况下，所述第一和第二垂直部分50b、50c沿 垂直方向分别从水平部分50a的各端部延伸。所述第一和第二垂直部分 50b、50c与所述数据线30a、30b及30c平行，并分别与所述第一和第二 数据线30a、30b相邻。

第二公共线51也包括水平部分51a和第一、第二垂直部分51b、51c。 在图中所示的情况下，该水平部分51a沿所述水平方向布置在第二像素 区域P2中。在图中所示的情况下，所述第一、第二垂直部分51b、51c 沿垂直方向分别从水平部分51a的各端部延伸。所述第一和第二垂直部 分51b、51c与所述数据线30a、30b及30c平行，并分别与所述第二、第 三数据线30b、30c相邻。

第一公共线50的第二垂直部分50c通过第一和第二公共桥接线 （bridge line）53、54连接至第二公共线51的第一垂直部分51b。该第一 和第二公共桥接线53、54重复形成在相邻像素区域之间，并且连接相邻 像素区域中的公共线。因此，基板10上的所有公共线都通过第一和第二 公共桥接线53、54相互电连接，并且来自公共信号发生单元（未显示） 的公共信号被施加到基板10上的所有公共线。

第一薄膜晶体管T1形成在第二选通线20b和第一数据线30a的交叉 部分处。第二薄膜晶体管T2形成在第二选通线20b和第二数据线30b的 交叉部分处。