[发明专利]复合式镀膜的装置与方法无效
| 申请号： | 200810174509.2 | 申请日： | 2008-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101736291A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 吕昆达;林汉伦 | 申请（专利权）人： | 晟辉科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/34;C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王雪静;逯长明 |
| 地址： | 中国台湾桃园县芦*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 镀膜 装置 方法 | ||
1.一种复合式镀膜装置，用以均匀成膜于一基板上方，该装置包含：
一真空腔体，包含：
一溅镀室，电浆表面处理该基板及溅镀一薄膜导电层；
一蒸镀室，连接于该溅镀室，蒸镀一主导电层；及
一转子，置于该真空腔体，用以转动该基板于该溅镀室及该蒸镀室，交替溅镀该薄膜导电层于该主导电层上及蒸镀该主导电层于该薄膜导电层上直到预定膜厚。
2.如权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于：更包含一涡轮帮浦，连接于该溅镀室，用以对该溅镀室抽真空。
3.如权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于：更包含一扩散帮浦，连接于该蒸镀室，用以对该蒸镀室抽真空。
4.如权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于：该主导电层是以热蒸镀沉积。
5.如权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于：该溅镀室包含一第一真空室及一第二真空室，并分别连接于该蒸镀室的两端。
6.如权利要求5所述的镀膜装置，其特征在于：该转子依序来回转动该基板于该第一真空室溅镀该薄膜导电层，该蒸镀室蒸镀该主导电层，该第二真空室溅镀该薄膜导电层，直到预定膜厚。
7.一种利用如权利要求1所述装置的镀膜方法，其步骤包含：
(a)于该真空腔体的该溅镀室电浆表面处理该基板；
(b)于该真空腔体的该溅镀室溅镀一薄膜导电层；
(c)于该真空腔体的该蒸镀室蒸镀一主导电层；
(d)重复步骤(b)与步骤(c)交替溅镀该薄膜导电层于该主导电层上及蒸镀该主导电层于该薄膜导电层上直到预定膜厚。
8.如权利要求7所述的镀膜方法，其特征在于：该步骤(C)是以热蒸镀方法沉积。
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