[发明专利]太阳能电池和太阳能电池模块无效
申请号: | 200810171489.3 | 申请日: | 2008-08-22 |
公开(公告)号: | CN101373780A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 西田丰三;二宫国基 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L31/042;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 模块 | ||
相关申请的交叉参考
本申请基于并且要求2007年8月24日提交的在先日本专利申请 No.P2007-219076和2008年4月23日提交的在先日本专利申请 No.P2008-113198的优先权,在此结合其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及仅在背面侧热粘接有配线材料(配线部件)的太阳能 电池和具有该太阳能电池的太阳能电池模块。
背景技术
太阳能电池将环保且用之无尽地被供给的太阳光直接转换为电。 因此太阳能电池作为新能源备受期待。
每一个太阳能电池的输出为数W左右。因此,在使用太阳能电池 作为房屋、楼宇等的电源时,使用通过配线材料相互连接有多个太阳 能电池的太阳能电池模块。
一般地,太阳能电池具有由接受太阳光的受光面和设置在受光面 的相反侧的背面形成的一对正负电极。配线材料与形成在一个太阳能 电池的受光面的电极、和形成在与该一个太阳能电池邻接的另一太阳 能电池的背面的电极热粘接(例如,参照日本特开2005-217148号公 报)。
此处,配线材料的线膨胀系数比构成太阳能电池的半导体基板的 线膨胀系数大,所以热粘接后在配线材料与太阳能电池的界面上产生 使配线材料收缩的力。
如上所述,在太阳能电池的受光面和背面上热粘接有配线材料的 情况下,收缩力从受光面和背面这两者施加到太阳能电池上,因此使 得收缩力对太阳能电池的影响得到一定程度的缓和。
但是,太阳能电池的电输出与受光面中的受光面积大致成比例。 从而考虑在太阳能电池的背面形成一对正负电极,在太阳能电池的背 面侧上设置配线材料,从而能够扩大太阳能电池的受光面积。
具体地说,将一个配线材料热粘接在形成在一个太阳能电池的背 面的正电极上、和形成在与该一个太阳能电池邻接的另一太阳能电池 的背面的负电极上。同样地,将另一配线材料热粘接在形成在一个太 阳能电池的背面的负电极上、和形成在与该一个太阳能电池邻接的另 一太阳能电池的背面的正电极上。
这样,在仅在太阳能电池的背面侧上热粘接有配线材料的情况下, 仅在太阳能电池的背面上施加配线材料的收缩力,从而有在太阳能电 池中产生弯曲的可能性。
尤其是认为,以削减制造成本为目的而进行的太阳能电池的薄型 化越发展,越会显著地产生这种太阳能电池的弯曲。因此,仅在太阳 能电池的背面侧热粘接配线材料会妨碍太阳能电池的薄型化。
因此,本发明是鉴于上述问题而提出的,目的在于提供一种在仅 在太阳能电池的背面侧热粘接有配线材料的情况下,配线材料的收缩 力的影响得到缓和的太阳能电池和具有该太阳能电池的太阳能电池模 块。
发明内容
本发明的一个特征的太阳能电池模块,其具有通过配线材料相互 电连接的第一太阳能电池和第二太阳能电池,其特征在于:第一太阳 能电池和第二太阳能电池沿着排列方向排列,第一太阳能电池和第二 太阳能电池分别包括:具有受光面和设置在受光面的相反侧的背面, 并通过受光生成电子和空穴的光电转换部;形成在光电转换部上的收 集电子的第一集电电极;形成在光电转换部上的收集空穴的第二集电 电极;与光电转换部的背面接合的绝缘体;贯通绝缘体并与第一集电 电极电连接的第一通孔电极;和贯通绝缘体并与第二集电电极电连接 的第二通孔电极,其中,配线材料在绝缘体上与第一太阳能电池所具 有的第一通孔电极和第二太阳能电池所具有的第二通孔电极电连接。
这样,第一太阳能电池和第二太阳能电池分别具有与光电转换部 的背面接合的绝缘体。从而,随着温度变化而产生的配线材料的收缩 力或者膨胀力能够被绝缘体吸收。因此,能够抑制由于配线材料的收 缩力或者膨胀力而在光电转换部产生弯曲。结果,能够抑制在第一太 阳能电池和第二太阳能电池上产生裂缝、缺口。
本发明的一个特征的太阳能电池模块中,也可以是,第一集电电 极形成在光电转换部的受光面上,第二集电电极形成在光电转换部的 背面上,第一通孔电极贯通光电转换部。
本发明的一个特征的太阳能电池模块中,也可以是,光电转换部 具有设置在背面的n型区域和设置在背面的p型区域,第一集电电极 设置在n型区域上,第二集电电极设置在p型区域上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的