[发明专利]有机EL显示装置有效
申请号: | 200810170695.2 | 申请日: | 2008-10-30 |
公开(公告)号: | CN101425531A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 丰田裕训;村上元;加藤真一;田中政博 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/26;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/52 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 显示装置 | ||
1.一种顶部发光型有机EL显示装置,是具有显示区域的元件基板被密封基板密封、图像被形成于所述密封基板侧的顶部发光型有机EL显示装置,所述显示区域是具有被上部电极和下部电极夹持的有机EL层的像素被形成为矩阵状的显示区域,其特征在于,
所述有机EL层包含电子输送层、发光层和空穴输送层,所述电子输送层通过有机材料和碱金属或碱土类金属的共蒸镀而形成,
由与形成所述电子输送层的材料相同的材料、且所述碱金属或所述碱土类金属的组成比大于所述电子输送层的共蒸镀层构成的干燥剂不与所述发光层重叠地被设置。
2.如权利要求1所述的顶部发光型有机EL显示装置,其特征在于,由所述共蒸镀层构成的干燥剂的所述碱金属或所述碱土类金属的组成比比所述电子输送层的所述碱金属或所述碱土类金属的组成比大50%以上。
3.一种顶部发光型有机EL显示装置,是具有显示区域的元件基板被密封基板密封、图像被形成于所述密封基板侧的顶部发光型有机EL显示装置,所述显示区域是具有被上部电极和下部电极夹持的有机EL层的像素被形成为矩阵状的显示区域,其特征在于,
所述有机EL层包含电子输送层、发光层和空穴输送层,所述电子输送层通过有机材料和铯的共蒸镀而形成,
由与形成所述电子输送层的材料相同的材料、且所述铯的组成比大于所述电子输送层的共蒸镀层构成的干燥剂不与所述发光层重叠地被设置。
4.如权利要求3所述的顶部发光型有机EL显示装置,其特征在于,由所述共蒸镀层构成的干燥剂的所述铯的组成比比所述电子输送层的所述铯的组成比大50%以上。
5.如权利要求3所述的顶部发光型有机EL显示装置,其特征在于,由所述共蒸镀层构成的干燥剂的所述铯的组成比比所述电子输送层的所述铯的组成比大100%以上。
6.如权利要求3所述的顶部发光型有机EL显示装置,其特征在于,由所述共蒸镀层构成的干燥剂的所述铯的组成量为0.225g/cm3以上。
7.一种顶部发光型有机EL显示装置,是具有显示区域的元件基板被密封基板密封、图像被形成于所述密封基板侧的顶部发光型有机EL显示装置,所述显示区域是具有被上部电极和下部电极夹持的有机EL层的像素被形成为矩阵状的显示区域,其特征在于,
所述下部电极形成于有机钝化膜上,所述有机EL层形成于由堤分隔的内部,所述上部电极在所述堤上也延伸存在,
所述有机EL层包含电子输送层、发光层和空穴输送层,所述电子输送层通过有机材料和铯的共蒸镀而形成,
由与形成所述电子输送层的材料相同的材料、且所述铯的组成比大于所述电子输送层的共蒸镀层构成的干燥剂与所述发光层不重叠地被设置。
8.如权利要求7所述的顶部发光型有机EL显示装置,其特征在于,由所述共蒸镀层构成的干燥剂形成于所述有机钝化膜上。
9.如权利要求7所述的顶部发光型有机EL显示装置,其特征在于,由所述共蒸镀层构成的干燥剂形成于所述上部电极上。
10.如权利要求7所述的顶部发光型有机EL显示装置,其特征在于,所述堤由有机膜形成,由所述共蒸镀层构成的干燥剂形成于所述堤上和所述上部电极上。
11.如权利要求7所述的顶部发光型有机EL显示装置,其特征在于,所述堤由无机膜形成,由所述共蒸镀层构成的干燥剂形成于所述堤上和所述上部电极上。
12.如权利要求7所述的顶部发光型有机EL显示装置,其特征在于,由金属形成的辅助电极在所述堤上延伸存在,由所述共蒸镀层构成的干燥剂在所述辅助电极上延伸存在。
13.如权利要求7所述的顶部发光型有机EL显示装置,其特征在于,由金属形成的辅助电极在第1个所述堤上延伸存在,由所述共蒸镀层构成的干燥剂在第2个所述堤上延伸存在,所述辅助电极和由所述共蒸镀层构成的干燥剂不接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的