[发明专利]一种薄膜太阳电池吸收层的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳电池吸收层的制备方法，其特征在于：包括制备预制层和硒化或硫化反应；

制备预制层：采用真空磁控溅射设备将含有Se或S的CuIn和CuGa靶材同时或先后溅射在镀钼的衬底上，制得含有部分Se或S的预制层；或者采用真空磁控溅射设备将含有Se或S的CuInGa合金靶材溅射在镀钼的衬底上，制得含有部分Se或S的预制层；

硒化或硫化反应：将镀有钼和预制层的衬底放入真空加热炉内，快速、均匀的升温，使得基片所在区域温度控制在400-590℃，固态硒源或硫源所在区域温度控制在180-300℃，依据金属预制层的厚度，进行10-30min的硒化或硫化处理后，预制层即转变为吸收层。

2.根据权利要求1所述薄膜太阳电池的吸收层制备方法，其特征在于：含Se或S的CuIn和CuGa靶材中Cu与In或Ga以及Se或S的原子比例为：0.7～1.1∶1.0∶0.5～2。

3.根据权利要求1所述薄膜太阳电池的吸收层制备方法，其特征在于：所述衬底为玻璃或柔性金属或聚酰亚胺膜中一种。

4.根据权利要求3所述薄膜太阳电池的吸收层制备方法，其特征在于：所述柔性金属为钛箔或不锈钢箔。