[发明专利]一种高温液态氯硅烷的输送方法

说明书

技术领域

本发明涉及多晶硅生产领域，特别是在多晶硅生产的精馏、回收系统中，一种高温液态氯硅烷的输送方法。

背景技术

在多晶硅的生产过程中，其中重要的精馏、回收系统中，在塔和塔、塔和罐之间的物料输送目前主要是采用没有泄露的屏蔽泵来完成(如图1所示)，但是因为塔釜温度较高或泵电机发热较大，泵进口处的物料通常会汽化，形成汽蚀现象。从而导致该屏蔽泵不能正常工作，严重时屏蔽泵会被损坏、引发事故，最终影响生产。

发明内容

本发明为解决上述问题提供了在多晶硅生产中精馏、回收系统中，一种高温液态氯硅烷的输送方法，可以有效地解决汽蚀现象，使用安全，寿命长。

本发明的技术方案如下：

一种高温液态氯硅烷的输送方法，是对于多晶硅生产中的精馏、回收系统塔釜中的液态氯硅烷进行输送，其特征在于：通过蒸汽将处于低位置的液态氯硅烷加热成气态氯硅烷，气态氯硅烷上升，然后通过RO水将气态氯硅烷冷凝成液态氯硅烷，冷凝后的液态氯硅烷位于高位置的罐内，然后通过调节阀和流量计来控制输送液态氯硅烷到下一个塔或罐。

所述低位置的液态氯硅烷的压力为0.19～0.4MPa，温度为85～110℃。

所述气态氯硅烷的温度为100～130℃，压力为0.19～0.4MPa。

所述冷凝后的液态氯硅烷温度为30～60℃，压力为0.19～0.4MPa。

所述蒸汽由再沸器产生，蒸汽的压力为0.5～1.0MPa，温度为150～180℃。

所述再沸器连接于塔釜底部。

所述冷凝是在冷凝器中进行的，冷凝器高于再沸器和下一个塔或罐的进料口。

所述RO水是一种反渗透产品水，俗称脱盐水，水质要求：电阻率ρ≥0.5MΩ.cm；Cl离子≤10mg/L，PH值为7.5～9，所述RO水的温度为25～35℃、压力为0.5～0.65MPa。

本方法的具体工艺过程为：

所述精馏、回收系统塔釜中处于低位置的液态氯硅烷经过再沸器，液态氯硅烷被再沸器内的饱和蒸汽加热成气态，气态氯硅烷从再沸器的出口沿着管道上升至高处的冷凝器(冷凝器高于下一个塔或罐进料口2米左右)，气态氯硅烷被冷凝器内的RO水冷凝成液态氯硅烷，冷凝后的液态氯硅烷流入高位置的罐，然后通过调节阀和流量计控制液态氯硅烷的流量进入下一个塔或罐，从而完成了高温氯硅烷的输送。

本发明的有益效果如下：

本方法采用再沸器和冷凝器的配合代替了屏蔽泵，这样不仅完全解决了汽蚀现象，而且通过氯硅烷的性态变化使得输送也非常方便，同时所传送的流量可以准确控制，流速平稳。

附图说明

图1为本发明背景技术传统的工艺方案流程图

图2为本发明的工艺方案流程图

具体实施方式

如图2所示，一种高温液态氯硅烷的输送方法，是对于多晶硅生产中的精馏、回收系统塔釜中的液态氯硅烷进行输送，通过蒸汽将处于低位置的液态氯硅烷加热成气态氯硅烷，气态氯硅烷上升，然后通过RO水将气态氯硅烷冷凝成液态氯硅烷，冷凝后的液态氯硅烷位于高位置的罐内，然后通过调节阀和流量计来控制输送液态氯硅烷到下一个塔或罐。

所述低位置的液态氯硅烷的压力为0.19～0.4MPa，温度为85～110℃。

所述气态氯硅烷的温度为100～130℃，压力为0.19～0.4MPa。

所述冷凝后的液态氯硅烷温度为30～60℃，压力为0.19～0.4MPa。

所述蒸汽由再沸器产生，蒸汽的压力为0.5～1.0MPa，温度为150～180℃。

所述再沸器连接于塔釜底部。

所述冷凝是在冷凝器中进行的，冷凝器高于再沸器和下一个塔或罐的进料口。

所述RO水的温度为25～35℃、压力为0.5～0.65MPa。

本方法的具体工艺过程为：

所述精馏、回收系统塔釜中处于低位置的液态氯硅烷经过再沸器，液态氯硅烷被再沸器内的饱和蒸汽加热成气态，气态氯硅烷从再沸器的出口沿着管道上升至高处的冷凝器，气态氯硅烷被冷凝器内的RO水冷凝成液态氯硅烷，冷凝后的液态氯硅烷流入高位置的罐，然后通过调节阀和流量计控制液态氯硅烷的流量进入下一个塔或罐，从而完成了高温氯硅烷的输送。

冷凝器最好高于下一个塔或罐进料口2米左右。