[发明专利]一种用于控制在处理腔室内处理气体的流动的装置

说明书

技术领域

本发明的实施例一般涉及用于控制在处理腔室内处理气体的流动的装置。

背景技术

当在真空下处理衬底时，真空泵用于将处理腔室抽空到适当处理压力。在某些情况中，真空泵连续抽空引入到处理腔室中的处理气体以保持预期处理压力。真空泵推动处理气体通过处理腔室到达通向真空泵的真空泵端口。

诸如沉积气体的处理气体被引入到处理腔室中，并且在处理期间，处理气体以导致在暴露的腔室构件上的沉积。处理期间，在非预期室构件上的沉积可以导致构件失效或衬底污染。当构件失效时，需要清洗或替换该构件。在每种情况中，都需要关闭该处理腔室以接近该构件，这导致衬底生产能力的降低。

因此，在现有技术中存在对于设计成减小室构件失效的处理腔室的需求。

发明内容

本发明一般包括用于引导处理气体的流动远离腔室壁和缝隙阀门开口的方法和装置。通过控制在处理腔室内处理气体的流动路径，可以减少在腔室壁上和缝隙阀门开口内的非预期沉积。通过减少在缝隙阀门开口内的沉积，可以减少剥落。通过减少在腔室壁上的沉积，可以增加在腔室清洗之间的时间。因此，引导在处理腔室内处理气体的流动可以提高衬底生产能力。

在一个实施方式中，一种装置包括：具有贯穿第一侧壁的缝隙阀门开口的腔室体、与该腔室体的一个或多个侧壁连接的一个或多个引流器、在该缝隙阀门开口上方的一个或多个阻流器，连接到第一侧壁并从第一侧壁延伸、以及在覆盖该缝隙阀门开口的位置和第二位置之间移动的门。该一个或多个阻流器连接到具有穿过其中的的开口的引流器，该引流器的开口与该缝隙阀门开口基本上对齐。

在另一个实施方式中，一种装置包括：多个引流器，从处理腔室壁延伸以围绕在基座和气体分布喷头之间的处理区域。多个引流器中的第一引流器具有穿过其中的开口以允许衬底从中通过。该装置还包括一个或多个阻流器，与第一引流器连接并远离处理区域延伸；以及一个或多个门，能够从阻挡该开口的位置向敞开该开口的位置移动。第一引流器设置在该一个或多个门与处理区域之间。

在另一个实施方式中，一种装置包括：具有多个侧壁及贯穿第一侧壁形成的开口的腔室体。该装置还包括与第一侧壁连接的引流器。该引流器具有穿过其中的开口，该引流器的开口与第一侧壁中的开口基本上对齐。该装置还包括在缝隙阀门开口上方并且连接在第一侧壁和引流器之间的阻流器。该阻流器跨越大于缝隙阀门开口的长度。该装置还包括设置在腔室体内从而使引流器的外表面与基座的侧面对齐的基座。

附图说明

为了详细理解本发明的上述特征，参考实施方式给出上面概述的本发明的更加明确的描述，在附图中示出某些实施方式。然而，需要注意到是，附图仅示出本发明的典型实施方式，因此，由于本发明可以允许其它等效实施方式，不能认为附图限制本发明的范围。

图1是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)装置的示意性截面图；

图2A是根据本发明的一个实施方式的PECVD装置的示意性截面图；

图2B是具有降低的基座和缝隙阀门衬套的图2A的PECVD装置的示意性截面图；

图2C是图2A的PECVD装置的示意性顶视图；

图2D是图2A的引流器和阻流器的示意图；

图3A是根据本发明的一个实施方式的引流器的示意图；

图3B是具有图3A的引流器的装置的示意图；

图4A是根据本发明的一个实施方式的用于阻挡缝隙阀门开口的门组件的部分截面图；

图4B是根据本发明的另一个实施方式的用于阻挡缝隙阀门开口的门组件的部分截面图；以及

图4C是根据本发明的又一个实施方式的用于阻挡缝隙阀门开口的门组件的部分截面图。

为了便于理解，已经尽可能地使用相同标号来表示附图中共有的相同元件。应该理解，不需要特定描述，在一个实施方式中公开的元件有益地用于其它实施方式。

具体实施方式

本发明通常包括用于引导处理气体的流动远离腔室壁和缝隙阀门开口的方法和装置。通过控制在处理腔室内处理气体的流动路径，可以减少在腔室壁上和缝隙阀门开口内的非预期沉积。通过减少在缝隙阀门开口内的沉积，可以减少剥落。通过减少在腔室壁上的沉积，可以增加在腔室清洗之间的时间。因此，引导在处理腔室内处理气体的流动可以提高衬底生产能力。