[发明专利]光电元件的制造方法及其封装结构无效

专利信息
申请号: 200810133908.4 申请日: 2008-07-15
公开(公告)号: CN101630707A 公开(公告)日: 2010-01-20
发明(设计)人: 曾文良;陈隆欣 申请(专利权)人: 先进开发光电股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/498;H01L23/36;H01L25/00;H01L25/16
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈 晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 光电 元件 制造 方法 及其 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种光电元件的制造方法,包含下列步骤:

提供陶瓷基板;

在该陶瓷基板的两表面分别形成具有图形的第一电极层及第二电极层;

通过共熔合金接合将多个光电晶粒各自电连接至该第一电极层;

在各该光电晶粒表面包覆封胶体;以及

沿着相邻该光电晶粒间的空隙分割该陶瓷基板以形成多个独立的封装单元。

2.根据权利要求1所述的光电元件的制造方法,其中该陶瓷基板还包含多个通孔,当形成该第一电极层及该第二电极层时,该通孔内形成垂直导通部。

3.根据权利要求1所述的光电元件的制造方法,其还包含通过沾银或滚镀的方式形成多个垂直导通部的步骤,其中该第一电极层及该第二电极层通过该垂直导通部而电相连。

4.根据权利要求1所述的光电元件的制造方法,其中该陶瓷基板预先形成多个切割线,可沿该切割线利用钻石刀切割、剥或折使该陶瓷基板形成多个独立的封装单元,并且该切割线利用激光或开模所形成。

5.根据权利要求1所述的光电元件的制造方法,其中该共熔合金接合利用芯片倒装接合。

6.根据权利要求1所述的光电元件的制造方法,其中该封胶体包含热硬化型或热塑型的高分子塑胶材料,该热塑型的高分子塑胶材料包括树脂及硅胶。

7.根据权利要求1所述的光电元件的制造方法,其中该第一电极层及该第二电极层个别包含多个N型电极及多个P型电极。

8.一种光电元件的封装结构,包含:

陶瓷基板;

第一电极层,设于该陶瓷基板的上表面;

第二电极层,设于该陶瓷基板的下表面;

光电晶粒,固定于该第一电极层上;

封胶体,包覆该光电晶粒;以及

多个垂直导通部,电连接该第一电极层及该第二电极层。

9.根据权利要求8所述的光电元件的封装结构,其中该陶瓷基板包含氮化铝、氧化铍、碳化硅、玻璃、氧化铝、或钻石。

10.根据权利要求8所述的光电元件的封装结构,其中该光电晶粒为发光二极管晶粒,该第一电极层及该第二电极层分别包含至少一个N型电极及至少一个P型电极,一该垂直导通部电连接该第一电极层的N型电极及该第二电极层的N型电极,并且另一该垂直导通部电连接该第一电极层的P型电极及该第二电极层的P型电极。

11.根据权利要求8所述的光电元件的封装结构,其中该陶瓷基板还包含多个通孔,该垂直导通部设于该通孔内。

12.根据权利要求8所述的光电元件的封装结构,其中该垂直导通部设于该陶瓷基板的端面。

13.根据权利要求8所述的光电元件的封装结构,其中该光电晶粒通过多个凸块和该第一电极层共熔接合。

14.一种光电元件的封装结构,包含:

基板;

光电元件,设于该基板的表面;以及

电子元件,设于相对于该光电元件的该基板的另一表面,并与该光电元件电耦合。

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