[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法、液晶显示装置及其驱动方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其包括一基底，设置在该基底的多条扫描线， 设置在该基底的多条数据线，多个第一薄膜晶体管及多个第二薄膜晶体管 及多个第一画素电极及多个第二画素电极，该数据线与该扫描线交叉并绝 缘，且该数据线与该扫描线定义多个子画素单元；每一子画素单元对应一 该第一薄膜晶体管及一该第二薄膜晶体管，每一子画素单元内的第一薄膜 晶体管及第二薄膜晶体管的栅极均连接至同一条扫描线；每一子画素单元 内设置有一第一画素电极及一第二画素电极，其特征在于：该第一薄膜晶 体管的源极连接至该子画素单元所对应的一数据线，该第二薄膜晶体管的 源极经由一分压元件连接至同一条该数据线，该第一画素电极经由该第一 薄膜晶体管由该数据线获取显示信号，该第二画素电极是经由该第二薄膜 晶体管及该分压元件串联所形成的支路由同一数据线获取显示信号。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该分压元件为 偶合电容。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该第一画素电 极电连接至该第一薄膜晶体管的漏极，该第二画素电极电连接至该第二薄 膜晶体管的漏极。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该薄膜晶体管 基板的每一画素单元内进一步包括至少一偶合电极，每一偶合电极电连接 至该第二薄膜晶体管，且该偶合电极与该画素单元对应的数据线相交迭， 以形成该偶合电容。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该薄膜晶体管 基板进一步包括一栅极绝缘层及一钝化层，该栅极绝缘层位于该基底与该 钝化层之间，该扫描线、该第一薄膜晶体管的栅极及该第二薄膜晶体管的 栅极位于该基底与该栅极绝缘层之间，该数据线、该第一薄膜晶体管的源 极及漏极及该第二薄膜晶体管的源极及漏极位于该栅极绝缘层与该钝化 层之间，该偶合电极、该第一画素电极及第二画素电极设置在该钝化层上。

6.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该薄膜晶体管 基板进一步包括一栅极绝缘层及一钝化层，该栅极绝缘层位于该基底与该 钝化层之间，该扫描线、该偶合电极、该第一薄膜晶体管的栅极及该第二 薄膜晶体管的栅极位于该基底与该栅极绝缘层之间，该数据线、该第一薄 膜晶体管的源极及漏极及该第二薄膜晶体管的源极及漏极位于该栅极绝 缘层与该钝化层之间，该第一画素电极及第二画素电极设置在该钝化层 上。

7.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该薄膜晶体管 基板进一步包括一栅极绝缘层及一钝化层，每一画素单元中该偶合电极的 数量为二个，该栅极绝缘层位于该基底与该钝化层之间，该扫描线、该二 偶合电极之一、该第一薄膜晶体管的栅极及该第二薄膜晶体管的栅极位于 该基底与该栅极绝缘层之间，该数据线、该第一薄膜晶体管的源极及漏极 及该第二薄膜晶体管的源极及漏极位于该栅极绝缘层与该钝化层之间，另 一偶合电极、该第一画素电极及第二画素电极设置在该钝化层上，该二偶 合电极电连接。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该分压元件为 分压电阻。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该第一画素电 极电连接至该第一薄膜晶体管的漏极，该第二画素电极电连接至该第二薄 膜晶体管的漏极。