[发明专利]一种TiNiSn基热电化合物的制备方法无效
| 申请号： | 200810119192.2 | 申请日： | 2008-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101338386A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 李敬锋;邹敏敏;木太拓志 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C22C1/04 | 分类号： | C22C1/04;B22F3/12 |
| 代理公司： | 北京华谊知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100084北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tinisn 热电 化合物 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种TiNiSn基热电化合物的制备方法，其特征在于，制备工艺为：
(1)采用高纯的Ti、Ni、Sn单质作为初始原料，按Ti1-xNiSn化学式配料；其中，x为Ti元素偏离化学计量比的量，x＝0，0.1，0.2，0.3，0.4；
(2)将原料装入球磨罐中，在手套箱中经过预抽真空，通入保护气体高纯氩气后，将球磨罐取出并安装在行星式球磨机上进行干法球磨；
(3)干磨后加入无水乙醇作为介质进行湿磨；
(4)将球磨后的粉末取出，烘干，得到中间化合物粉末；
(5)将所得中间化合物粉末装入石墨模具中，用石墨压头压实后，安装在放电等离子烧结SPS机中进行烧结，得到TiNiSn热电化合物；
所述的高纯氩气的纯度为99.99％；
所述的干法球磨采用200～300转/分的转速，球磨时间为2～8小时；
所述的湿磨转速为50～300转/分，时间为2～12小时；
所述的烧结在SPS机中升温速度为40～60℃/min，烧结温度为750～850℃，SPS压力为30～60Mpa，保温5～15分钟后，使烧结炉降温至室温。
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