[发明专利]连续可调纳秒级窄脉冲半导体激光器模块无效

专利信息
申请号: 200810117496.5 申请日: 2008-07-31
公开(公告)号: CN101640373A 公开(公告)日: 2010-02-03
发明(设计)人: 陈彦超;赵柏秦;吴铁中;任岩峰;韩海 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/026 分类号: H01S5/026;H01S5/022;H01S5/042;H01S5/024;H01S5/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 连续 可调 纳秒级窄 脉冲 半导体激光器 模块
【权利要求书】:

1、一种连续可调纳秒级窄脉冲半导体激光器模块,其特征在于,该激光器模块由驱动电路、半导体激光器和管壳构成,该驱动电路驱动该半导体激光器发光,且该驱动电路和该半导体激光器被封装在侧面至少具有一光窗的管壳内。

2、根据权利要求1所述的连续可调纳秒级窄脉冲半导体激光器模块,其特征在于,该半导体激光器以多列直插式或单列直插式设置在该管壳内。

3、根据权利要求1或2所述的连续可调纳秒级窄脉冲半导体激光器模块,其特征在于,该驱动电路由方波发生器、脉冲整形电路和功率放大电路构成,方波发生器输出一定频率的方波至脉冲整形电路,脉冲整形电路输出窄脉冲至功率放大电路;该脉冲整形电路和功率放大电路采用裸芯片紧密连接到一起,以减小因走线过长而带来的信号能量损失和波形的劣化。

4、根据权利要求3所述的连续可调纳秒级窄脉冲半导体激光器模块,其特征在于,该方波发生器具有第一可调电阻R2,通过调节该第一可调电阻R2来调节输出脉冲频率;该脉冲整形电路具有第二可调电阻R3,通过调节该第二可调电阻R3来调节输出脉冲宽度。

5、根据权利要求3所述的连续可调纳秒级窄脉冲半导体激光器模块,其特征在于,该脉冲整形电路至少具有一高速mos驱动器,该功率放大电路至少具有一高速低内阻mos管。

6、根据权利要求1所述的连续可调纳秒级窄脉冲半导体激光器模块,其特征在于,该管壳由腔体和底座构成,腔体与底座焊接成具有气密性的整体。

7、根据权利要求6所述的连续可调纳秒级窄脉冲半导体激光器模块,其特征在于,该底座与半导体激光器的热沉连成一体,实现该激光模块良好的散热特性。

8、根据权利要求1所述的连续可调纳秒级窄脉冲半导体激光器模块,其特征在于,该半导体激光器模块具有多个引脚。

9、根据权利要求8所述的连续可调纳秒级窄脉冲半导体激光器模块,其特征在于,该些引脚中,至少包括一引脚外接电阻以调节脉冲频率或脉冲宽度。

10、根据权利要求8所述的连续可调纳秒级窄脉冲半导体激光器模块,其特征在于,该些引脚中,至少包括一电源引脚,一接地引脚和一备用引脚。

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