[发明专利]倒锥波导耦合器的制作方法

权利要求书

1.一种倒锥波导耦合器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：在SOI上用电子束光刻和感应耦合等离子体刻蚀技术，将SOI的硅波导层刻蚀为一倒锥波导和微纳波导集成器件；

步骤2：利用有机/无机杂化的溶胶凝胶法制备光敏性溶胶薄膜材料；

步骤3：在SOI的SiO₂隔离层及倒锥波导和微纳波导集成器件上旋涂溶胶薄膜，该溶胶薄膜的厚度在3～6μm，折射率为1.48～1.58；

步骤4：对旋涂的溶胶薄膜进行前烘、凝胶，该溶胶薄膜的前烘、凝胶温度为100～120℃，时间为10～30min；

步骤5：在溶胶薄膜上利用掩模版进行紫外写入；

步骤6：腐蚀掉紫外写入区以外的部分溶胶薄膜，形成光纤耦合波导，该光纤耦合波导和倒锥波导构成倒锥波导耦合器；

步骤7：后烘，完成倒锥波导耦合器的制作。

2.根据权利要求1所述的倒锥波导耦合器的制作方法，其特征在于，其中紫外写入，是使用接触式曝光系统的紫外光，该紫外光的波长≤365nm，功率≥350w，曝光时间5～30min。

3.根据权利要求1所述的倒锥波导耦合器的制作方法，其特征在于，其中溶胶薄膜使用一种正性感光材料，未曝光的部分显影后会被去掉，曝光的溶胶薄膜会留下来，使用正丙醇为显影剂，显影时间3～5min。

4.根据权利要求1所述的倒锥波导耦合器的制作方法，其特征在于，其中制作的光纤耦合波导是截面尺寸为3×3μm～6×6μm的矩形波导。