[发明专利]静电电容型输入装置有效
申请号: | 200810110137.7 | 申请日: | 2008-06-13 |
公开(公告)号: | CN101324827A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 松尾睦 | 申请(专利权)人: | 爱普生映像元器件有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 电容 输入 装置 | ||
1.一种静电电容型输入装置,其特征在于,在透光性基板的同一面上 的输入区域具备:
在第1方向上延伸地形成的多个第1透光性电极图形,其具有多个垫部 和将该多个垫部连接的连接部分;
在前述连接部分的上层侧设置的透光性的层间绝缘膜;以及
在交叉于前述第1方向的第2方向上延伸地形成的多个第2透光性电极 图形,其具有多个垫部和将该多个垫部电连接的、在前述层间绝缘膜的上层 设置的中继电极;
其中,在具备前述第1透光性电极图形的前述连接部分和前述第2透光 性电极图形的前述中继电极的部分处,构成前述第1透光性电极图形与前述 第2透光性电极图形的交叉部分;
前述第1透光性电极图形及前述第2透光性电极图形,从前述透光性基 板侧按顺序叠层具有与前述透光性基板的折射率不同的折射率的氧化硅膜 和导电性金属氧化膜而构成,在未形成前述第1透光性电极图形及前述第2 透光性电极图形的区域也形成前述氧化硅膜;
前述层间绝缘膜包括膜厚度为1~2μm的丙烯酸树脂;
前述中继电极包括膜厚度为10~15μm的ITO。
2.按照权利要求1所述的静电电容型输入装置,其特征在于:
前述透光性的层间绝缘膜的折射率被设定为比前述氧化硅膜的折射率 大;
前述透光性的层间绝缘膜的膜厚度被设定为比前述氧化硅膜的膜厚度 大。
3.按照权利要求1或2所述的静电电容型输入装置,其特征在于:
前述第1透光性电极图形的前述垫部及前述第2透光性电极图形的前述 垫部,分别在以前述交叉部分所夹着的区域具备大面积部分;
前述第1透光性电极图形的前述连接部分、及前述第2透光性电极图形 的前述中继电极,具有宽度比前述大面积部分窄的宽度细窄的形状。
4.按照权利要求1~2中的任何一项所述的静电电容型输入装置,其特 征在于:
在前述透光性基板的前述输入区域的外侧区域,形成有分别电连接于前 述第1透光性电极图形及前述第2透光性电极图形的多条金属布线。
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