[发明专利]显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置的像素结构。

背景技术

作为有源矩阵型的显示装置之一具有有机EL显示装置(Organicelectroluminescent display device)。

如果从显示面的方向和有机EL元件的形成面的关系来对有机EL显示装置分类，大致可划分为：(1)将有机EL元件的形成面的背面一侧作为表面的底部发射型；(2)与底部发射型相反，将有机EL元件的形成面一侧作为表面的顶部发射型。

作为顶部发射型(TE型)的有源矩阵(AM)有机EL显示装置(OLED)的现有技术，有日本特开2007-103098号公报和日本特开2007-102181号公报。

有源矩阵的有机EL显示装置(AM-OLED)在玻璃基板上具有有源元件。在有源元件的上层具有与有源元件连接的像素电极。在该有源元件和像素电极之间存在第一层间绝缘膜。

在日本特开2007-103098号公报中公开了一种在第一层间绝缘膜之上使用ITO(Indium Tin-Oxide)或者金属的像素电极的TE型AM-OLED。

在日本特开2007-102181号公报中公开了一种在第一层间绝缘膜之上具有按各像素分离的Al的反射膜的结构。进而在该文献中公开了在该反射膜之上还具有由二氧化硅(SiO2)或者氮化硅(SiN)构成的硅类的第二层间绝缘膜，在该第二层间绝缘膜之上具有由ITO构成的像素电极的TE型AM-OLED。

发明内容

如日本特开2007-103098号公报那样，在TE型AM-OLED的像素电极的铝(以下，称作“Al”)露出时，由于蚀刻像素电极上的堤时产生的凸起(hillock)等，表面容易变得粗糙，稳定的空穴的注入变得困难。

在日本特开2007-102181号公报中记载的在反射膜和透明导电膜的像素电极之间存在硅类的层间绝缘膜的结构一般按顺序通过溅射形成反射膜，通过CVD形成层间绝缘膜，通过溅射形成透明导电膜，随着设置硅类的层间绝缘膜的增多，工艺就增多。

本发明者们研究了在日本特开2007-102181号公报中记载的不形成硅类的层间绝缘膜的结构。

在将由溅射成膜的Al/钼钨合金(MoW)统一湿蚀刻而形成反射膜后，在其上直接将ITO作为像素电极而形成。具体而言，用溅射形成ITO，湿蚀刻为覆盖反射膜外缘的图案。这样，用ITO覆盖Al的反射膜的外缘，所以ITO和Al不同时露出。因此，抗蚀剂剥离液中的电池反应几乎不发生，在Al的表面没必要形成硅类的绝缘膜，所以能简化工艺。此外，与有源元件的电连接不在Al/MoW层进行，而在ITO彼此间进行。因此，与将反射层兼作电极相比，提高了向发光层的电流注入效率。

此外，在日本特开2007-102181号公报中公开了为了使全部像素共用的共用电极的面内的电阻均匀而使用辅助布线的结构。而且，作为一个例子，在与像素电极同层形成辅助布线，在堤处设置开口，用接触孔与共用电极连接。

如特开2007-102181号公报那样，用相同的结构、相同的工艺形成辅助布线和像素电极，涉及到制造成本的低成本化。

但是，当用ITO形成辅助布线时，ITO与金属或合金的布线相比，其电阻更高，所以降低共用电极的电阻的效果较小。

为此，本发明者考虑把成为像素电极的ITO和成为反射膜的Al的层叠结构原封不动地作为辅助布线使用。如果考虑辅助布线的功能，只要电流不在Al的层叠结构中流过，效果就小。为了电流流过Al，重要的是降低ITO和Al之间的界面的电阻。不仅是Al的自然氧化膜，Al扩散，厚厚地形成氧化铝，该电阻提高。

在布线的层叠结构中也具有同样的问题，高熔点金属的氧化物电阻比氧化铝更小，所以通过在Al的上表面的ITO的界面配置MoW等高熔点金属的导电膜而应对。

可是，高熔点金属大多反射率低，当用与辅助布线相同的层的金属膜形成显示装置的反射膜时，像素的反射率降低。当反射率降低，其结果就会缩短寿命。因此，无法单纯应用现有的布线的层叠结构的方法。

为此，本发明者们也考虑取得高的辅助布线的效果而不降低反射率的结构。

首先，本发明者们考虑采用ITO2(最上层)/Al/MoW(用“Al/MoW”形成中间层)/ITO1(最下层)的层叠结构，直接连接ITO1和ITO2。在ITO2和Al的界面生成氧化铝，但在作为中间层的下表面，Al能通过MoW与ITO1通电，因此Al/MoW自身也能作为辅助布线利用。