[发明专利]磁记录介质及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810109058.4 申请日: 2008-05-23
公开(公告)号: CN101312047A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 樱井正敏;朝仓诚 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G11B5/64 分类号: G11B5/64;G11B5/66;G11B5/84
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;许向彤
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 记录 介质 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明的一个实施例涉及离散磁道记录类型的磁记录介质及其制造方法。

背景技术

近来,硬盘驱动器(HDD)中所使用的磁记录介质的一个明显问题是,邻近磁道之间的干扰妨碍了磁道密度的提高。

为了解决这个问题,提出了一种离散磁道记录类型的磁记录介质(DTR介质),该介质所具有的记录磁道通过处理磁记录层来形成,这些磁道在物理上彼此分开。DTR介质可以防止侧擦除现象(即,在写操作期间擦除邻近磁道中的信息)和侧读取现象(即,在读取操作期间读出邻近磁道中的信息),从而可以提高磁道密度。所以,DTR介质有望成为能实现高记录密度的磁记录介质。

离散磁道介质的结构有下述已知类型:

1.介质的非记录区中的磁性层在其厚度方向上被刻蚀掉,直到衬层,非记录区中的凹陷由非磁性材料所形成的嵌入层填充。具有这种结构的介质被称作“完全刻蚀型”介质。

2.介质的非记录区中的磁性层在其厚度方向上被部分地刻蚀掉,在非记录区中的凹陷的底部留下(部分)磁性层。具有这种结构的介质被称作“部分刻蚀型”介质。例如,参见美国专利No.6,999,279。

3.介质的非记录区中的磁性层被改性为例如非晶态。具有这种结构的介质被称作“改性型”介质。例如,参见日本专利公开No.2006-309841。

然而,这三种类型的DTR介质具有下面的问题。

1.在完全刻蚀型介质中,由于非记录区中的磁性层被完全刻蚀掉,所以,记录区和非记录区之间的台阶非常高。另一方面,为了获得读写头的飞行稳定性,需要用非磁性层填充凹陷来使介质的表面平坦化。然而,由于凹陷的台阶很高,所以需要花时间来填充凹陷,这就使介质的平坦化很难。

2.在部分刻蚀型介质中,由于记录区和非记录区之间的台阶较小,所以读写头的飞行稳定性没有问题。但是,磁性层不仅留在记录区中,而且也留在非记录区中,DC去磁化的伺服区的伺服信号强度较弱,使得磁头的定位很难。

3.在改性型介质中,由于非记录区中的磁性层通过离子注入进行改性而没有刻蚀,所以在介质的表面上没有台阶,使得读写头的飞行稳定性非常好。然而,通过离子注入很难使记录区和非记录区之间的界面变得陡峭,因此在读操作中信噪比降低,这使得误码率(bit error rate)变差。

发明内容

本发明的一个目标是,提供一种离散磁道记录型磁记录介质,这种介质的伺服信号强度高,误码率低,读写头的飞行稳定性好。

根据本发明的一个方面,提供一种磁记录介质,其特征在于包括:记录区,其中形成与伺服信号和记录磁道相对应的凸起,并包含晶体磁性层;以及非记录区,其中包含在各所述记录区之间的凹陷的底部留下的非晶损伤层。

根据本发明的另一个方面,提供一种磁记录介质的制造方法,其特征在于包括:在基底上沉积晶体磁性层,选择性刻蚀与非记录区相对应的一部分所述晶体磁性层,以便在所述非记录区中形成凹陷,其中在所述凹陷的底部剩有一部分所述晶体磁性层,并且形成凸起的记录区;以及对在所述非记录区中的凹陷底部所留下的晶体磁性层进行损伤,以便形成非晶损伤层。

本发明能够提供伺服信号强度高、误码率低、读写头的飞行稳定性好的所述离散磁道记录型的磁记录介质。

本发明其它目标和优势部分地在下面的描述中将被阐明,部分地能从描述中显然看到,或者可以通过对本发明的实践而得知。本发明的目标和优势可以根据下文所具体指出的手段及其组合来实现和获得。

附图说明

结合进来并构成说明书的一部分的附图显示了本发明的实施例,并与上面给出的总的描述以及在下面给出的实施例的详细描述一起,用来解释本发明的原理。

图1是根据本发明的磁记录介质的示意平面图;

图2是伺服区和数据区的示意图;

图3是一个平面图,显示了伺服区和数据区的图形;

图4是根据本发明的第一实施例的磁记录介质的剖面图;

图5是根据本发明的第二实施例的磁记录介质的剖面图;

图6是根据本发明的第三实施例的磁记录介质的剖面图;

图7是根据本发明的第四实施例的磁记录介质的剖面图;

图8A到8F是剖面图,显示了根据本发明的磁记录介质的一种制造方法;

图9A到9C是剖面图,显示了根据本发明的磁记录介质的另一种制造方法;

图10是根据本发明的磁记录装置的方框图。

具体实施方式

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