[发明专利]磁记录介质及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810109058.4 申请日: 2008-05-23
公开(公告)号: CN101312047A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 樱井正敏;朝仓诚 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G11B5/64 分类号: G11B5/64;G11B5/66;G11B5/84
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;许向彤
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 记录 介质 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种磁记录介质,其特征在于包括:

多个记录区,其中形成与伺服信号和记录磁道相对应的凸起,并包含晶体磁性层(53);以及

多个非记录区,其中包含保留在各所述记录区之间的凹陷的底部的非晶损伤层(55)。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于,所述记录区包含所述晶体磁性层(53)和层叠在其上的顶部盖层(54),所述非记录区中的非晶损伤层(55)的表面所在的位置比所述顶部盖层(54)的厚度更深。

3.根据权利要求2所述的磁记录介质,其特征在于,所述晶体磁性层(53)包含氧化物,并且所述顶部盖层(54)所具有的氧化物含量低于所述晶体磁性层(53)的氧化物含量。

4.根据权利要求2所述的磁记录介质,其特征在于,所述晶体磁性层(53)包含Co、Cr和Pt,所述顶部盖层(54)的Pt含量低于所述晶体磁性层(53)的Pt含量。

5.根据权利要求2所述的磁记录介质,其特征在于,所述晶体磁性层(53)包含Co、Cr和Pt,所述顶部盖层(54)的Cr含量高于所述晶体磁性层(53)的Cr含量。

6.根据权利要求1所述的磁记录介质,其特征在于还包括填充在所述非晶损伤层(55)之上的凹陷中的非磁性嵌入层(56)。

7.一种磁记录介质的制造方法,其特征在于包括:

在基底(51)上沉积晶体磁性层(53);

选择性刻蚀与非记录区相对应的一部分所述晶体磁性层(53),以在所述非记录区中形成凹陷,其中在所述凹陷的底部剩有一部分所述晶体磁性层(53),并且形成凸起的记录区;以及

对在所述非记录区中的凹陷的底部所剩下的晶体磁性层(53)进行损伤,以形成非晶损伤层(55)。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在基底(51)上层叠有所述晶体磁性层(53)和顶部盖层(54),在进行与所述非记录区相对应的选择性刻蚀的过程中,所述顶部盖层(54)在其整个厚度的范围内被完全去掉,并且所述晶体磁性层(53)在其厚度方向上被部分地去掉。

9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于还包括,采用非磁性嵌入层(56)来填充所述非晶损伤层(55)之上的凹陷。

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