[发明专利]电流式差动传送器及接收器

说明书

技术领域

本发明关于一种电流式差动传送器及接收器，且特别关于一种具有较佳抗干扰能力及较佳数据摆幅的电流式差动传送器及接收器。 

背景技术

请参照图1，其绘示了传统电流式传送器的电路图。电流式传送器100接收一输入电压信号VI，并据以产生一输出电流信号I_out。电流式传送器100包括两个开关及一电流镜，两个开关为NMOS晶体管M6及M7，电流镜由NMOS晶体管M1～M5所组成。开关M6耦接于一电流路径CP11，且受控于输入电压信号VI。开关M7的一端接收一供应电压V_DD，开关M7的另一端耦接至开关M6的一端，开关M7并受控于输入电压信号VI的反相信号VIB。 

电流镜镜射一参考电流I_B至一电流路径CP12。当开关M6导通时，电流镜亦镜射参考电流I_B至电流路径CP11。输出电流信号I_out的电流值为电流路径CP11及CP12上的电流之和。当输入电压信号VI的电压电平为一低电压电平，开关M6导通。因此，输出电流信号I_out的电流值为2I_B。当输入电压信号VI的电压电平为一高电压电平，开关M6截止。因此，输出电流信号I_out 的电流值为I_B。 

请参照第2图，其绘示了传统电流式接收器的电路图。电流式接收器200接收一输入电流信号I_out，并据以于一输出端OUT产生一输出电压信号。电流式接收器200包括PMOS晶体管M10、NMOS晶体管M9、电流源以及电流镜。电流源由PMOS晶体管M8所实现，电流镜由PMOS晶体管M4及M6、以及NMOS晶体管M7所组成。 

电流镜镜射输入电流信号I_out-至一电流路径CP21，且电流源产生流经一电流路径CP22的一参考电流I_CM。晶体管M10的源极接收一供应电压V_DD，晶体管M10的漏极耦接至输出端OUT。晶体管M9的漏极耦接至输出端OUT，晶体管M9的源极接收一地电压GND。流经电流路径CP21及CP22的电流分别决定晶体管M9及M10的栅极源极电压差。 

电流式接收器200还包括NMOS晶体管M5及一偏压产生电路。偏压产生电路由PMOS晶体管M1及M2、及NMOS晶体管M3所组成。偏压产生电路提供一偏压做为晶体管M5的栅极源极电压差，使得晶体管M5导通。若输入电流信号I_out-的电流值小于参考电流I_CM的电流值，输出端OUT的电压电平为供应电压V_DD。若输入电流信号I_out-的电流值大于参考电流I_CM的电流值，输出端OUT的电压电平为地电压GND。 

上述的电流式传送器及电流式接收器，均采用单端(Single End)输出或输入，故于发送端及接收端的抗干扰(noise)能力会较差。 

发明内容

有鉴于此，本发明的目的就是提供一种电流式差动传送器及接收器，具有较佳的抗干扰能力及较佳的资料摆幅。 

根据本发明的第一方面，提出一种电流式差动传送器，接收一单端输入电压信号，并据以产生一差动输出电流信号。传送器包括第一开关、第二开关以及电流镜。第一开关耦接于一第一电流路径，且受控于单端输入电压信号。第二开关耦接于一第二电流路径，且受控于单端输入电压信号的反相信号。当第一开关导通，电流镜镜射一参考电流至第一电流路径。当第二开关导通，电流镜镜射该参考电流至第二电流路径。其中，从第一电流路径及第二电流路径上的电流导出差动输出电流信号。 

根据本发明的第二方面，提出一种电流式差动接收器，接收一差动输入电流信号，并据以于一输出端产生一单端输出电压信号。接收器包括第一电流镜、第一晶体管以及第二晶体管。第一电流镜镜射差动输入电流信号的正端电流信号至一第一电流路径，并镜射差动输入电流信号的负端电流信号至一第二电流路径。第一晶体管的源极接收一供应电压，第一晶体管的漏极耦接至输出端。第二晶体管的漏极耦接至输出端，第二晶体管的源极接收地电压。其中，流经该第一电流路径及该第二电流路径的电流决定分别决定该第一晶体管及该第二晶体管的栅极源极电压差。 

附图说明

图1绘示了传统电流式传送器的电路图。 

图2绘示了传统电流式接收器的电路图。