[发明专利]高精密电容器结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种高精密电容器结构及其制造方法，特别是一种易于调整电容值的高精密电容器结构及其制造方法。

背景技术

电容器以静电的形式储存和释放电能，其构成原理是在两极导电物质之间以介质隔离，并将电能储存其间，其主要的作用是储存电荷，或者用作旁路、滤波、调谐、震荡等功能，因此，其对于每种电器、信息、通讯产品都是不可或缺的。而各种电容器由于不同的介质导电性以及物理性的不同因，而产生不同的电气特性，其功能及应用范围也有所差异。

近年来，科技发展日新月异，各类电子产品日益普遍，所以需要应用大量高精度的电容器，如已知的单层式陶瓷电容器(single-walledceramic capacitor)是以陶瓷作为介电物质，其是在陶瓷基体的两面喷涂金属，然后烧制成金属薄膜作为电极，然后电极表面焊上引线(wire)以作为可与电路板电性连接的输出入端子。例如，液晶显示器的电源供应器必须使用高精度的单层式电容器，其工作在100伏特至5000伏特之间的交流电压，电容值在数微微法拉(pF)至数十微微法拉之间，且其误差必须等于或小于±1％。

在已知电容器的制造方法中，不易掌握电容值的精密度，一般的误差值约为±5％，如果需要低于±5％，则往往需要在制造完成后再利用筛选(sorting)的方法选出符合规格的电容器，因此产品的交货期不易控制，而且容易造成材料浪费，使得产品成本不易降低。

发明内容

为解决上述问题，本发明的发明目的之一是提供一种高精密电容器制造方法，该方法包含电极面截断步骤，若所得的电容器的电容值大于一设定电容值，则在电容器的电极层形成绝缘的截断区域以减少电极的有效面积，由此调整电容值，以提供电路设计的准确的容抗值，有效提高产品产量、避免浪费材料以及降低产品成本。

本发明的发明目的之一是提供一种高精密电容器结构，其中，在电极层形成沟槽以截断电极层，由此减少电极的有效面积，进而改变电容值。

为了达到上述目的，根据本发明的一个实施例的高精密电容器结构，包括：介质层，该介质层具有上表面以及下表面；二个电极层，其分别设置于所述介质层的上表面以及下表面，该电极层设置有沟槽，使得电极层具有不导电的截断区域；以及至少二条引线，其分别电连接至介质层的上表面以及下表面的电极层。

为了达到上述目的，根据本发明实施例的高精密电容器方法包括：提供介质层，其中该介质层的上表面以及下表面分别具有电极层；组合步骤，分别将引线焊接到所述上表面以及下表面的电极层；电容值测量步骤，测量电容器的电容值；以及电极面截断步骤，若在电容值测量步骤所得的电容值大于一设定电容值，则在上表面或下表面的电极层形成沟槽，使上表面或下表面的电极层具有不导电的截断区域。

附图说明

图1示出根据本发明实施例电容器结构。

图2a至图2c示出根据本发明实施例的高精密电容器制造方法。

图3示出根据本发明实施例的高精密电容器制造方法的制造流程图。

图4示出根据本发明实施例的高精密电容器封装结构的立体图。

图中符号说明：