[发明专利]高精密电容器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种高精密电容器结构，其特征在于，包括：

介质层，该介质层具有上表面以及下表面；

二个电极层，其分别设置于该介质层的上表面以及下表面，该电极层设有沟槽，使该电极层具有不导电的截断区域；及

至少二根引线，其分别电连接到该介质层的上表面以及下表面的电极层。

2.如权利要求1所述的高精密电容器结构，其特征在于，高精密电容器结构还包括封装结构，该封装结构包括：

壳体，该壳体收纳所述介质层、电极层以及引线的一部分；及

封胶体，其密封所述壳体内的所述介质层、电极层及引线的一部分。

3.如权利要求2所述的高精密电容器结构，其特征在于，所述封胶体的材料是环氧树脂。

4.如权利要求2所述的高精密电容器结构，其特征在于，所述壳体的材料是塑料。

5.一种高精密电容器制造方法，其特征在于，包括：

提供介质层，其中，该介质层的上表面以及下表面分别具有电极层；

组合步骤，分别将引线焊接到所述上表面以及下表面的电极层；

电容值测量步骤，测量该电容器的电容值；以及

电极面截断步骤，如果所述电容值测量步骤中所得的电容值大于一设定电容值，则在所述上表面或下表面的电极层形成沟槽，使该上表面或该下表面的该电极层具有不导电的截断区域。

6.如权利要求5所述的高精密电容器制造方法，其特征在于，所述沟槽是通过选自激光、放电加工或蚀刻中的一种方法所制成的。

7.如权利要求5所述的高精密电容器制造方法，其特征在于，所述电极面截断步骤后，重复所述电容值测量步骤，由此获得所述电极面截断步骤后的电容值。

8.如权利要求5所述的高精密电容器制造方法，其特征在于，所述高精密电容器制造方法还包括封装步骤，其中该封装步骤包含：

将所述介质层、电极层及引线的一部分放置于壳体中；及

以封胶体包覆所述介质层、该电极层及引线的一部分。

9.如权利要求8所述的高精密电容器制造方法，其特征在于，所述封胶体的材料是环氧树脂。

10.如权利要求8所述的高精密电容器制造方法，其特征在于，所述壳体的材料是塑料。