[发明专利]光波导及其形成方法

权利要求书

1.一种形成光波导结构的方法，该方法包括：

提供第一材料层，所述第一材料层具有第一折射指数且包括聚合物基体、与该聚合物基体相容的至少一种单体、前催化剂和助催化剂，其中聚合物基体和所述至少一种单体具有不同的折射指数，助催化剂适合于在曝光于光化辐射下时将前催化剂转化成潜活性形式，且潜活性形式一旦加热到第一温度，则可转化成活性形式；

选择曝光第一材料层的第一部分于光化辐射下；和

第一次加热第一材料层到第一温度，从而使第一折射指数变为第二折射指数。

2.权利要求1的方法，其中在没有曝光于光化辐射的情况下，一旦加热到比第一温度高的第二温度下，则前催化剂可转化成活性形式。

3.权利要求1的方法，其中助催化剂包括光引发剂，所述光引发剂一旦曝光于光化辐射下，则产生阳离子和弱配位的阴离子，且前催化剂转化成与弱配位阴离子缔合的潜活性形式。

4.权利要求1的方法，其中所述至少一种单体包括降冰片烯类单体。

5.权利要求1的方法，进一步包括在第一材料层上提供第二材料层，第二材料层具有不同于第二折射指数的第三折射指数。

6.权利要求5的方法，其中第二材料层包括聚合物基体、与第二材料的聚合物基体相容的至少一种单体、前催化剂和助催化剂，其中第二材料层中的助催化剂适合于在曝光于光化辐射下时将第二材料层中的前催化剂转化成潜活性形式，第二材料层中的前催化剂一旦加热到第一温度，则可转化成活性形式，且活性形式的第二材料层中的前催化剂使第二材料中的所述至少一种单体聚合。

7.权利要求6的方法，其中第二材料层中的助催化剂包括光引发剂，所述光引发剂一旦曝光于光化辐射下，则产生阳离子和弱配位的阴离子，且第二材料层中的前催化剂转化成与第二材料层的弱配位阴离子缔合的潜活性形式。

8.权利要求6的方法，其中第二材料层中的聚合物基体包括降冰片烯类聚合物，所述降冰片烯类聚合物包括具有环氧侧基的降冰片烯类重复单元。

9.权利要求2的方法，进一步包括第二次加热第一材料层到第二温度。

10.权利要求9的方法，进一步包括第三次加热第一材料层到比第二温度高至少20℃的第三温度。

11.权利要求1的方法，其中聚合物基体包括降冰片烯类聚合物。

12.权利要求1的方法，其中聚合物基体包括第一重复单元和第二重复单元。

13.权利要求12的方法，其中第一重复单元包括烷基降冰片烯重复单元，和第二重复单元包括降冰片烯类重复单元。

14.权利要求13的方法，其中烷基降冰片烯重复单元包括己基降冰片烯重复单元，和降冰片烯类重复单元包括二苯基甲基降冰片烯甲氧基硅烷重复单元。

15.权利要求13的方法，其中所述烷基降冰片烯重复单元包括己基降冰片烯重复单元，和降冰片烯类重复单元包括苄基降冰片烯重复单元。

16.权利要求13的方法，其中烷基降冰片烯重复单元包括己基降冰片烯重复单元，和降冰片烯类重复单元包括苯乙基降冰片烯重复单元。

17.权利要求1的方法，其中前催化剂用下式(E(R)₃)₂Pd(Q)₂表示，其中E(R)₃代表第15族中性供电子配体，E是选自元素周期表中第15族元素的元素，在E(R)₃中的R是氢、其同位素和含烃基的部分之一，和Q是选自羧酸基、硫代羧酸基和二硫代羧酸基中的阴离子配体。