[发明专利]电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种电容器，包括：

基板，所述基板为具有一粗糙侧面的覆铜箔层压板；

聚合物层，形成在所述基板的所述粗糙侧面上；

电路图案，选择性地形成在所述聚合物层之上；以及

二氧化钛纳米片，与所述电路图案对应。

2.根据权利要求1所述的电容器，进一步包括：

粘附层，介于所述基板的一个侧面与所述聚合物层之间，所述粘附层被构造成将所述聚合物层附着于所述基板的所述粗糙侧面。

3.根据权利要求1所述的电容器，进一步包括：

种子层，介于所述聚合物层与所述电路图案之间。

4.根据权利要求3所述的电容器，其中，所述种子层通过溅射方法形成。

5.根据权利要求1所述的电容器，进一步包括：

钛(Ti)层，与所述电路图案对应并介于所述电路图案与所述二氧化钛纳米片之间，所述钛层被构造成将所述二氧化钛纳米片附着于所述电路图案。

6.根据权利要求5所述的电容器，其中，所述钛层通过溅射方法形成。

7.根据权利要求5所述的电容器，其中，所述钛层具有200至300nm的厚度。

8.一种制造电容器的方法，所述方法包括：

在基板的粗糙侧面之上形成聚合物层，所述基板为具有所述粗糙侧面的覆铜箔层压板；

在所述聚合物层之上形成镀层；

通过选择性地去除所述镀层来形成电路图案；以及

在所述电路图案之上叠置二氧化钛纳米片，所述二氧化钛纳米片与所述电路图案对应。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述聚合物层的形成包括：

通过在所述基板与所述聚合物层之间设置粘附层而将所述聚合物层附着于所述基板。

10.根据权利要求8所述的方法，在形成所述聚合物层之后，进一步包括：

在所述聚合物层的表面上进行等离子体处理以用于预处理。

11.根据权利要求10所述的方法，在进行所述等离子体处理之后，且在所述聚合物层之上形成镀层之前，进一步包括：

在所述聚合物层之上叠置种子层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，通过溅射方法进行所述种子层的叠置。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述电路图案的形成包括：

在所述镀层之上叠置第一耐电镀抗蚀剂并选择性地去除所述第一耐电镀抗蚀剂；

蚀刻露出的镀层；以及

剥离在去除后残留的所述第一耐电镀抗蚀剂。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述二氧化钛纳米片的叠置包括：

在除所述电路图案之外的部分之上叠置第二耐电镀抗蚀剂；

在所述电路图案和所述第二耐电镀抗蚀剂之上涂覆钛层；

去除涂覆有所述钛层的所述第二耐电镀抗蚀剂，从而所述电路图案被形成为在其表面上涂覆有钛层；以及

将所述二氧化钛纳米片附着于涂覆有所述钛层的所述电路图案，从而所述二氧化钛纳米片与所述电路图案对应。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，通过溅射方法进行所述钛层的涂覆。