[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810089862.0 | 申请日： | 2008-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101335240A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 金大植 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8242;H01L21/768;H01L27/088;H01L27/108;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：
在半导体衬底的有源区中沿一个方向形成多个沟槽；
在包括所述沟槽的半导体衬底上形成与所述沟槽交叉的凹陷栅极；
在所述凹陷栅极两侧的包括所述沟槽的半导体衬底中形成源极/漏极区；
在包括所述凹陷栅极的半导体衬底上方形成层间绝缘层；
蚀刻所述层间绝缘层以形成接触孔，通过所述接触孔在所述凹陷栅极两侧暴露出沟槽底部的源极/漏极区和所述半导体衬底中的源极/漏极区；
形成填充所述接触孔的接触塞；和
形成连接至所述接触塞且平行于所述凹陷栅极的金属线。
2.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述接触孔包括通过其暴露出所述沟槽底部的源极/漏极区的第一接触孔和通过其暴露出所述半导体衬底中的源极/漏极区的第二接触孔。
3.如权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中所述第一接触孔和所述第二接触孔互连以形成线图案形式的所述接触塞。
4.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中通过以0°至20°的倾角和30°至40°的扭转角离子注入N+杂质来形成所述源极/漏极区。
5.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中通过以1.0×1015至9.0×1020离子/cm2的剂量和10至20KeV的注入能量离子注入N+杂质来形成所述源极/漏极区。
6.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中通过以0°至20°的倾角和30°至40°的扭转角离子注入P+杂质来形成所述源极/漏极区。
7.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中通过以1.0×1015至9.0×1020离子/cm2的剂量和10至20KeV的注入能量离子注入P+杂质来形成所述源极/漏极区。
8.一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：
在半导体衬底的有源区中沿一个方向形成多个沟槽；
在包括所述沟槽的半导体衬底上形成与所述沟槽交叉的凹陷栅极；
在所述凹陷栅极两侧的包括所述沟槽的半导体衬底中形成源极/漏极区；
在包括所述凹陷栅极的半导体衬底上方形成第一层间绝缘层；
蚀刻所述第一层间绝缘层以形成第一接触孔，通过所述第一接触孔在所述凹陷栅极两侧暴露出沟槽底部的源极/漏极区；
形成填充所述第一接触孔的定位接触塞；
在包括所述定位接触塞的半导体衬底上方形成第二层间绝缘层；
蚀刻所述第二层间绝缘层以形成第二接触孔，通过所述第二接触孔暴露出所述定位接触塞和在所述半导体衬底中的源极/漏极区；
形成金属线接触塞以填充所述第二接触孔；和
形成连接至所述金属线接触塞且平行于所述凹陷栅极的金属线。
9.如权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中所述第二接触孔包括通过其暴露出所述定位接触塞的第三接触孔和通过其暴露出所述半导体衬底中的源极/漏极区的第四接触孔。
10.如权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中所述第三接触孔和所述第四接触孔互连以形成线图案形式的所述接触塞。
11.如权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中通过以0°至20°的倾角和30°至40°的扭转角离子注入N+杂质来形成所述源极/漏极区。
12.如权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中通过以1.0×1015至9.0×1020离子/cm2的剂量和10至20KeV的注入能量离子注入N+杂质来形成所述源极/漏极区。
13.如权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中通过以0°至20°的倾角和30°至40°的扭转角离子注入P+杂质来形成所述源极/漏极区。
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