[发明专利]透明导电氧化物层作为阴极的有机发光装置及其制造方法无效
申请号: | 200810089859.9 | 申请日: | 2008-04-03 |
公开(公告)号: | CN101281954A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 李昌浩;崔镇白;金元钟;李钟赫;宋英宇;金容铎;赵尹衡;李炳德;吴敏镐;李善英;李昭玲 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陆弋;王诚华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电 氧化物 作为 阴极 有机 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
1、一种有机发光装置,包括:
布置在基板上的阳极;
布置在所述阳极上并与所述阳极连接的有机功能层,该有机功能层至少包括有机发光层;和
阴极,该阴极为布置在所述有机功能层上并与所述有机功能层连接的透明导电氧化物层。
2、根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述透明导电氧化物层是利用等离子体辅助热蒸发形成的。
3、根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述透明导电氧化物层是铟氧化物层、铟锡氧化物层、锡氧化物层、铟锌氧化物层、铝锌氧化物层、铝锡氧化物层或铝铟氧化物层。
4、根据权利要求1所述的有机发光装置,进一步包括布置在所述有机功能层和所述阴极之间并与所述有机功能层和所述阴极连接的电子注入增强层。
5、根据权利要求4所述的有机发光装置,其中所述电子注入增强层是厚度小于穿透深度的金属层。
6、根据权利要求4所述的有机发光装置,其中所述电子注入增强层包括Mg、Ca或In。
7、根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述阳极包括Au或Pt。
8、根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述阳极是由掺杂以绝缘氧化物材料的透明导电氧化物材料制成的层。
9、根据权利要求8所述的有机发光装置,其中:
所述透明导电氧化物材料是铟氧化物、铟锡氧化物、锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物、铝锡氧化物或铝铟氧化物,并且
所述绝缘氧化物材料是镧氧化物、钇氧化物、铍氧化物、钛氧化物、硅氧化物、镓氧化物、钯氧化物或钐氧化物。
10、一种制造有机发光装置的方法,该方法包括:
在基板上形成阳极;
在所述阳极上形成至少包括有机发光层的有机功能层,并且将该有机功能层与所述阳极连接;并且
在所述有机功能层上形成作为透明导电氧化物层的阴极,并将所述阴极与所述有机功能层连接。
11、根据权利要求10所述的方法,其中所述透明导电氧化物层是利用等离子体辅助热蒸发形成的。
12、根据权利要求10所述的方法,其中所述透明导电氧化物层是铟氧化物层、铟锡氧化物层、锡氧化物层、铟锌氧化物层、铝锌氧化物层、铝锡氧化物层或铝铟氧化物层。
13、根据权利要求10所述的方法,进一步包括在形成所述阴极之前,在所述有机功能层上形成电子注入增强层,并将该电子注入增强层与所述有机功能层连接。
14、根据权利要求13所述的方法,其中所述电子注入增强层是厚度小于穿透深度的金属层。
15、根据权利要求14所述的方法,其中所述电子注入增强层包括Mg、Ca或In。
16、根据权利要求10所述的方法,其中所述阳极包括Au或Pt。
17、根据权利要求10所述的方法,其中所述阳极由掺杂以绝缘氧化物材料的透明导电氧化物材料制成。
18、根据权利要求17所述的方法,其中:
所述透明导电氧化物材料是铟氧化物、铟锡氧化物、锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物、铝锡氧化物或铝铟氧化物,并且
所述绝缘氧化物材料是镧氧化物、钇氧化物、铍氧化物、钛氧化物、硅氧化物、镓氧化物、钯氧化物或钐氧化物。
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