[发明专利]检查方法和记录有检查方法的程序记录介质

说明书

技术领域

本发明涉及检查方法，更详细而言，涉及能够提高检查的处理量的检查方法和记录有检查方法的程序记录介质。 

背景技术

探针装置具有相互邻接的装载室和探测室。装载室包括以盒为单位载置被检查体(例如晶片)的载置部、从盒内一块一块地搬送晶片的晶片搬送机构、和在搬送晶片的途中进行晶片的预对准的子夹盘。探测室具有载置通过装载室的晶片搬送机构搬送来的晶片的能够进行温度调节的主夹盘、配置于主夹盘的上方的探针卡、和进行探针卡的探针与主夹盘上的晶片的电极垫的对准的对准机构，在通过对准机构进行晶片的电极垫和探针的对准之后，通过主夹盘将晶片设定在规定的温度，在该设定温度下进行被检查体的电特性检查。 

被检查体的检查具有在100℃前后的高温区域进行的高温检查，和在-几十℃的低温区域进行的低温检查。例如在进行高温检查的情况下，通过温度调节器(以下简称为“温调器”)将主夹盘的温度设定为例如目标温度90℃，通过温调器的PID控制将主夹盘维持在目标温度的容许范围内并进行晶片的检查。在进行低温检查的情况下，通过内置于主夹盘的温调器将主夹盘上的晶片设定为-几十℃的目标温度，在目标温度下进行晶片的检查。 

但是，在进行晶片的高温检查的情况下，虽然在预先设定为高温区域的目标温度的主夹盘上载置(装载)晶片并进行检查，但因为一般从装载室搬送来的晶片为常温，所以当如图6所示将常温的晶片装载于主夹盘上时，存在从主夹盘向晶片的热移动，主夹盘的温度从目标温度急剧降低，为了对此进行补偿而通过温调器的PID控制急剧地加热主夹盘，则主夹盘的温度反复大幅度波动、温度不稳定。此外，当主夹盘的温度从预先设定的目标温度的容许范围(在图6中为在夹 盘温度上下以点划线表示的上下之间的范围)脱离时，产生等待时间，主夹盘回到目标温度需要2～3分钟，即使在对准结束后温度也不稳定，不能立刻进行检查，从而检查时间变长。在进行晶片的低温检查的情况下，相反地主夹盘的温度暂时变高，检查时间增长了晶片达到目标温度的时间。 

而且，在专利文献1中记载了关于在对晶片实施处理之前将晶片的温度设定得比大气高的晶片装载器和曝光装置的发明。此外，在专利文献2中记载了将交换的处理液升温至目标温度，能够缩短在目标温度下到稳定为止的时间的半导体处理装置。但是，这些技术中的任一个均不是涉及探针装置的技术。 

【专利文献1】日本特开2005-032906 

【专利文献2】日本特开2007-027391 

发明内容

本发明是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供一种检查方法和记录有检查方法的程序记录介质，无论是高温检查还是低温检查均能够在主夹盘(载置台)上装载晶片(被检查体)之后，在短时间内稳定载置台的温度，能够不产生时间损耗就进行检查，而且还能够提高检查的处理量。 

本发明的第一方面的检查方法，在检查装置的能够移动的载置台上载置被检查体，通过内置于载置台的温度调节器将上述被检查体设定在目标温度，并进行上述被检查体的电特性检查，其特征在于，包括：根据预先登记的上述被检查体的物性数据和容积数据，计算用于将上述被检查体从向上述载置台的载置前的温度加热或冷却至上述目标温度所必需的热量作为第一加法控制量的工序；和在将上述被检查体载置于上述载置台之前，通过上述温度调节器在设定为上述目标温度的上述载置台上施加上述热量，加法控制上述载置台的工序。 

此外，本发明的第二方面的检查方法，在检查装置的能够移动的载置台上载置被检查体，通过内置于载置台的温度调节器将上述被检查体设定为目标温度，并进行上述被检查体的电特性检查，其特征在于，在进行最初的被检查体的检查时，包括：根据预先登记的上述被 检查体的物性数据和容积数据，计算将上述被检查体从向上述载置台的载置前的温度加热或冷却至上述目标温度所必需的热量作为第一加法控制量的工序；和在将上述被检查体载置于上述载置台之前，通过上述温度调节器在设定为上述目标温度的上述载置台上施加上述热量，加法控制上述载置台的工序，此外，在进行第二次以后的被检查体的检查时，包括：根据从之前紧接的被检查体得到的实测容积数据和从上述加法控制时的上述载置台得到的温度分布(profile)，计算用于加热或冷却上述被检查体所需的热量作为第二加法控制量的工序；和在将上述第二次以后的被检查体载置于上述载置台之前，通过上述温度调节器在设定为上述目标温度的上述载置台上施加上述热量，加法控制上述载置台的工序。